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Metadados | Descrição | Idioma |
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Autor(es): dc.contributor | Dias, Ivan Frederico Lupiano [Orientador] | - |
Autor(es): dc.contributor | Duarte, José Leonil | - |
Autor(es): dc.contributor | Lourenço, Sidney Alves | - |
Autor(es): dc.contributor | Laureto, Edson [Coorientador] | - |
Autor(es): dc.creator | Souza, Leonardo Dias de | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2025-05-15T13:12:03Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2025-05-15T13:12:03Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2024-05-01 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2024-05-01 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2025-05-15 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2025-05-15 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | https://repositorio.uel.br/handle/123456789/12335 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/capes/982048 | - |
Descrição: dc.description | Resumo: Neste trabalho estudamos pontos quânticos – QDs (quantum dots) de InAs auto-organizados crescidos sobre o GaAs, formando uma estrutura convencional de quantum dots, e crescidos no interior de um poço quântico de In14Ga86As/GaAs, formando uma estrutura denominada DWELL (dot-in-a-well) Utilizamos cinco amostras de QDs de InAs crescidas através da técnica de Epitaxia por Feixe Molecular – MBE (Molecular Beam Epitaxy), sendo três delas crescidas sobre o GaAs e duas crescidas no interior do poço quântico de In14Ga86As/GaAs As amostras foram crescidas através de deposição contínua e pulsada do InAs usando diferentes taxas de crescimento nas amostras crescidas por deposição contínua Para efeito de comparação foi preparada uma amostra que consiste de um poço quântico simples de In14Ga86As/GaAs com a mesma largura efetiva do poço presente nas amostras DWELL A caracterização óptica das amostras foi feita através da técnica de fotorefletância – PR (photoreflectance) no intervalo de temperatura de 12 K a 3 K Através dos espectros de PR analisamos a origem das transições observadas, a influência dos diferentes modos de crescimento sobre a energia das transições dos pontos quânticos e estimamos o tamanho dos QDs convencionais | - |
Descrição: dc.description | Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Londrina, Centro de Ciências Exatas, Programa de Pós-Graduação em Física | - |
Descrição: dc.description | Abstract: In this work we studied self-assembled quantum dots – QDs of InAs grown on GaAs, resulting in a conventional structure of quantum dots, and grown inside a quantum well of In14Ga86As/GaAs, resulting in a structure labeled DWELL (dot-in-a-well) We utilized five QDs samples of InAs grown through Molecular Beam Epitaxy (MBE) technique, being three of them grown over GaAs and two inside of quantum well of In14Ga86As/GaAs The samples were grown through the continuous and pulsed deposition of InAs using different growth rates in the ones grown by continuous deposition In order to compare, it was prepared a sample consisting of a simple quantum well of In14Ga86As/GaAs with the same effective width of the quantum well present in the DWELL samples The optical characterization of sample was done through photoreflectance – (PR) between 12K and 3K of temperature Thru of PR spectrum we analysed the origin of the observed transitions, the influence of different ways of growth on the energy of the transitions of quantum dots and we estimated the size of conventional QDs | - |
Formato: dc.format | application/pdf | - |
Idioma: dc.language | pt_BR | - |
Relação: dc.relation | Mestrado | - |
Relação: dc.relation | Física | - |
Relação: dc.relation | Centro de Ciências Exatas | - |
Relação: dc.relation | Programa de Pós-Graduação em Física | - |
Palavras-chave: dc.subject | Física quântica | - |
Palavras-chave: dc.subject | Pontos quânticos | - |
Palavras-chave: dc.subject | Poços quânticos | - |
Palavras-chave: dc.subject | Epitaxia por feixe molecular | - |
Palavras-chave: dc.subject | Quantum physics | - |
Palavras-chave: dc.subject | Quantum dots | - |
Palavras-chave: dc.subject | Quantum wells | - |
Palavras-chave: dc.subject | Molecular beam epitaxy | - |
Título: dc.title | Fotorefletância em pontos quânticos auto-organizados de InAs crescidos sobre GaAs e no interior de um poço quântico de In0.14Ga0.86As/GaAs | - |
Tipo de arquivo: dc.type | livro digital | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional da UEL - RIUEL |
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