Transições ópticas em poços quânticos múltiplos com diferentes orientações cristalográficas

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Autor(es): dc.contributorDias, Ivan Frederico Lupiano [Orientador]-
Autor(es): dc.contributorRibeiro, Evaldo-
Autor(es): dc.contributorDuarte, José Leonil-
Autor(es): dc.contributorBorrero, Pedro Pablo Gonzáles [Coorientador]-
Autor(es): dc.creatorTeodoro, Márcio Daldin-
Data de aceite: dc.date.accessioned2025-05-15T12:47:58Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2025-05-15T12:47:58Z-
Data de envio: dc.date.issued2024-05-01-
Data de envio: dc.date.issued2024-05-01-
Data de envio: dc.date.issued2025-05-15-
Data de envio: dc.date.issued2025-05-15-
Fonte completa do material: dc.identifierhttps://repositorio.uel.br/handle/123456789/10909-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/capes/974970-
Descrição: dc.descriptionResumo: Neste trabalho estudamos as transições ópticas em poços quânticos múltiplos de GaAs/AlxGa1-xAs, crescidos por epitaxia por feixe molecular sobre os substratos de GaAs orientados nas direções [1], [311]A e [311]B Os parâmetros estruturais dos poços quânticos foram determinados por Difratometria de Alta Resolução de Raios-X O estudo das transições ópticas foi realizado pela técnica de fotoluminescência (PL) Através dos resultados obtidos, identificamos os picos dos espectros e analisamos os seus comportamentos em função da temperatura e intensidade de excitação Utilizando baixas intensidades de excitação, analisamos no intervalo de temperatura de 12 a 12 K o comportamento de éxcitons localizados em flutuações do potencial de confinamento das heteroestruturas A dependência da energia do pico da PL com a temperatura foi ajustada através da expressão proposta por Pässler [Phys Status Solidi B, 2, 155 (1997)] subtraído do termo T k / B 2 s que considera a presença das flutuações de potencial Verificamos através da forma de linha, da largura de linha à meia altura dos espectros de PL, dos valores de s obtidos dos ajustes dos pontos experimentais e dos valores máximos do blueshift do pico de PL, que as amostras crescidas nas direções [311]A/B possuem maiores flutuações de potencial em relação às crescidas na direção [1], indicando um maior grau das corrugações superficiais dos MQWs crescidos nas direções [311] A variação do gap de energia com a temperatura foi investigada com intensidades de excitação altas o suficiente para blindar as flutuações de potencial, empregando ajustes pelos modelos de Varshni, Viña, Pässler-p e Pässler-? Os parâmetros de ajustes dos diferentes modelos foram analisados em função da orientação do substrato e não apresentaram variações significativas-
Descrição: dc.descriptionDissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Londrina, Centro de Ciências Exatas, Programa de Pós-Graduação em Física-
Descrição: dc.descriptionAbstract: In this work, the optical emission properties of (1), (311)A and (311)B GaAs/AlGaAs multiquantum wells (MQWs) grown by molecular beam epitaxy have been studied The structural parameters were determined by High Resolution X-Ray Diffractometry The optical transitions of these structures have been studied by means of the photoluminescence technique (PL) The study was carried out as a function of temperature, combined with the excitation intensity variation Using low excitation intensity, in the temperature range of 12 – 12 K, the behavior of exciton localized in the confinement potential fluctuations of the heterostructures has been analyzed The PL peak-energy dependence with temperature was adjusted by the expression proposed by Pässler [Phys Status Solidi B, 2, 155 (1997)] subtracting the term 2 / E B k T s , which considers the presence of potential fluctuations It can be verified, from the PL line shape, the full width at half maximum of PL spectra, the E s values obtained from the adjustment of experimental points and the blueshift maximum values, that the samples grown in [311]A/B directions have larger potential fluctuation amplitude than the sample grown in [1] direction This indicates a larger degree of the superficial corrugations for the MQWs grown in [311] direction The gap energy as a function of temperature has been investigated, keeping the excitation intensity sufficiently high screening the potential fluctuations, using fit by Varshni, Viña, Pässler-p and Pässler- ? models The fitting parameters from the different adjusts were analyzed in function of the substrate orientation and have shown no significant variations-
Formato: dc.formatapplication/pdf-
Idioma: dc.languagept_BR-
Relação: dc.relationMestrado-
Relação: dc.relationFísica-
Relação: dc.relationCentro de Ciências Exatas-
Relação: dc.relationPrograma de Pós-Graduação em Física-
Palavras-chave: dc.subjectFísica do estado sólido-
Palavras-chave: dc.subjectÓtica-
Palavras-chave: dc.subjectSemicondutores-
Palavras-chave: dc.subjectPropriedades óticas-
Palavras-chave: dc.subjectSolid state physics-
Palavras-chave: dc.subjectOptics-
Palavras-chave: dc.subjectSemiconductors - Optical properties-
Título: dc.titleTransições ópticas em poços quânticos múltiplos com diferentes orientações cristalográficas-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
Aparece nas coleções:Repositório Institucional da UEL - RIUEL

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