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Metadados | Descrição | Idioma |
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Autor(es): dc.contributor | Dias, Ivan Frederico Lupiano [Orientador] | - |
Autor(es): dc.contributor | Ribeiro, Evaldo | - |
Autor(es): dc.contributor | Duarte, José Leonil | - |
Autor(es): dc.contributor | Borrero, Pedro Pablo Gonzáles [Coorientador] | - |
Autor(es): dc.creator | Teodoro, Márcio Daldin | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2025-05-15T12:47:58Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2025-05-15T12:47:58Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2024-05-01 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2024-05-01 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2025-05-15 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2025-05-15 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | https://repositorio.uel.br/handle/123456789/10909 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/capes/974970 | - |
Descrição: dc.description | Resumo: Neste trabalho estudamos as transições ópticas em poços quânticos múltiplos de GaAs/AlxGa1-xAs, crescidos por epitaxia por feixe molecular sobre os substratos de GaAs orientados nas direções [1], [311]A e [311]B Os parâmetros estruturais dos poços quânticos foram determinados por Difratometria de Alta Resolução de Raios-X O estudo das transições ópticas foi realizado pela técnica de fotoluminescência (PL) Através dos resultados obtidos, identificamos os picos dos espectros e analisamos os seus comportamentos em função da temperatura e intensidade de excitação Utilizando baixas intensidades de excitação, analisamos no intervalo de temperatura de 12 a 12 K o comportamento de éxcitons localizados em flutuações do potencial de confinamento das heteroestruturas A dependência da energia do pico da PL com a temperatura foi ajustada através da expressão proposta por Pässler [Phys Status Solidi B, 2, 155 (1997)] subtraído do termo T k / B 2 s que considera a presença das flutuações de potencial Verificamos através da forma de linha, da largura de linha à meia altura dos espectros de PL, dos valores de s obtidos dos ajustes dos pontos experimentais e dos valores máximos do blueshift do pico de PL, que as amostras crescidas nas direções [311]A/B possuem maiores flutuações de potencial em relação às crescidas na direção [1], indicando um maior grau das corrugações superficiais dos MQWs crescidos nas direções [311] A variação do gap de energia com a temperatura foi investigada com intensidades de excitação altas o suficiente para blindar as flutuações de potencial, empregando ajustes pelos modelos de Varshni, Viña, Pässler-p e Pässler-? Os parâmetros de ajustes dos diferentes modelos foram analisados em função da orientação do substrato e não apresentaram variações significativas | - |
Descrição: dc.description | Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Londrina, Centro de Ciências Exatas, Programa de Pós-Graduação em Física | - |
Descrição: dc.description | Abstract: In this work, the optical emission properties of (1), (311)A and (311)B GaAs/AlGaAs multiquantum wells (MQWs) grown by molecular beam epitaxy have been studied The structural parameters were determined by High Resolution X-Ray Diffractometry The optical transitions of these structures have been studied by means of the photoluminescence technique (PL) The study was carried out as a function of temperature, combined with the excitation intensity variation Using low excitation intensity, in the temperature range of 12 – 12 K, the behavior of exciton localized in the confinement potential fluctuations of the heterostructures has been analyzed The PL peak-energy dependence with temperature was adjusted by the expression proposed by Pässler [Phys Status Solidi B, 2, 155 (1997)] subtracting the term 2 / E B k T s , which considers the presence of potential fluctuations It can be verified, from the PL line shape, the full width at half maximum of PL spectra, the E s values obtained from the adjustment of experimental points and the blueshift maximum values, that the samples grown in [311]A/B directions have larger potential fluctuation amplitude than the sample grown in [1] direction This indicates a larger degree of the superficial corrugations for the MQWs grown in [311] direction The gap energy as a function of temperature has been investigated, keeping the excitation intensity sufficiently high screening the potential fluctuations, using fit by Varshni, Viña, Pässler-p and Pässler- ? models The fitting parameters from the different adjusts were analyzed in function of the substrate orientation and have shown no significant variations | - |
Formato: dc.format | application/pdf | - |
Idioma: dc.language | pt_BR | - |
Relação: dc.relation | Mestrado | - |
Relação: dc.relation | Física | - |
Relação: dc.relation | Centro de Ciências Exatas | - |
Relação: dc.relation | Programa de Pós-Graduação em Física | - |
Palavras-chave: dc.subject | Física do estado sólido | - |
Palavras-chave: dc.subject | Ótica | - |
Palavras-chave: dc.subject | Semicondutores | - |
Palavras-chave: dc.subject | Propriedades óticas | - |
Palavras-chave: dc.subject | Solid state physics | - |
Palavras-chave: dc.subject | Optics | - |
Palavras-chave: dc.subject | Semiconductors - Optical properties | - |
Título: dc.title | Transições ópticas em poços quânticos múltiplos com diferentes orientações cristalográficas | - |
Tipo de arquivo: dc.type | livro digital | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional da UEL - RIUEL |
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