Temperature dependence of impurity levels in bulk semiconductors

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Autor(es): dc.creatorAmato, Marco Antonio-
Data de aceite: dc.date.accessioned2024-10-23T16:19:53Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2024-10-23T16:19:53Z-
Data de envio: dc.date.issued2017-12-07-
Data de envio: dc.date.issued2017-12-07-
Data de envio: dc.date.issued2006-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://repositorio.unb.br/handle/10482/26802-
Fonte completa do material: dc.identifierhttps://dx.doi.org/10.1590/S0102-47442006000200010-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/capes/905665-
Descrição: dc.descriptionO estudo da dependência da posição dos níveis de energia das impurezas profundas em semicondutores com a temperatura é um problema bastante interessante, e sua evidência experimental é discutida por vários autores. Neste artigo propomos um modelo teórico bastante simples, a partir do conhecimento da secção de choque de fotoionização e de alguns parametros associados aos fónons, para o entendimento deste comportamento.-
Descrição: dc.descriptionThe temperature dependence of impurity levels in semiconductors is a very interesting problem in the domain of deep levels impurities. Its evidence in experimental results is reported by many authors. However, the interpretation on theoretical basis requires sophisticated models. In this paper we propose a very simple model that allows to extract the relevant parameters from the experiment without needing heavy computation.-
Formato: dc.formatapplication/pdf-
Idioma: dc.languageen-
Publicador: dc.publisherSociedade Brasileira de Física-
Direitos: dc.rightsAcesso Aberto-
Direitos: dc.rightsRevista Brasileira de Ensino de Física - This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC). Fonte: https://www.scielo.br/j/rbef/a/7gGP3HRQ4gnDr4mxsMxp3yv/?lang=pt#. Acesso em: 06 jun. 2022.-
Palavras-chave: dc.subjectSemicondutores - física-
Palavras-chave: dc.subjectPropriedades térmicas-
Título: dc.titleTemperature dependence of impurity levels in bulk semiconductors-
Título: dc.titleEstudo do efeito térmico sobre os níveis de impurezas em semicondutores-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
Aparece nas coleções:Repositório Institucional – UNB

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