Análise comparativa entre interconexões de nanotubo de carbono e interconexões de cobre para circuitos GSI/TSI

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Autor(es): dc.contributorGuimarães, Janaína Gonçalves-
Autor(es): dc.creatorNogueira, Camila Peixoto da Silva Madeira-
Data de aceite: dc.date.accessioned2024-10-23T16:16:07Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2024-10-23T16:16:07Z-
Data de envio: dc.date.issued2013-03-28-
Data de envio: dc.date.issued2013-03-28-
Data de envio: dc.date.issued2013-03-28-
Data de envio: dc.date.issued2012-09-27-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://repositorio.unb.br/handle/10482/12636-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/capes/904049-
Descrição: dc.descriptionDissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Faculdade de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica, 2012.-
Descrição: dc.descriptionNesta dissertação será realizado o estudo de nanotubos de carbono como possíveis substitutos do cobre em interconexões em circuitos integrados GSI e TSI. Dessa forma, os modelos de circuitos do SWCNT (single-walled carbon nanotube) e do cobre serão apresentados e o estudo comparativo do desempenho destes materiais será realizado, considerando diferentes comprimentos das interconexões. Além disso, o efeito destas interconexões será analisado na rede H-tree clock com inversores em seus terminais, também para diferentes comprimentos. Os inversores utilizados são formados por dispositivos de tunelamento mono-elétron. Com este propósito, as interconexões serão simuladas usando o software LTSPICE. ______________________________________________________________________________ ABSTRACT-
Descrição: dc.descriptionIn this work, carbon nanotubes as possible candidates to replace copper as interconnects in GSI and TSI integrated circuits are studied. The circuit model of SWCNT (single-walled carbon nanotube) and of copper are presented and a comparison between both materials is studied, considering different interconnect lengths. In addition, interconnects effect is analyzed in the H-tree clock network using inverters in its ends. The inverters are formed by mono-electron tunneling devices. For this purpose, the interconnects will be simulated using LTSPICE software.-
Descrição: dc.descriptionFaculdade de Tecnologia (FT)-
Descrição: dc.descriptionDepartamento de Engenharia Elétrica (FT ENE)-
Descrição: dc.descriptionPrograma de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica-
Formato: dc.formatapplication/pdf-
Direitos: dc.rightsAcesso Aberto-
Palavras-chave: dc.subjectNanotecnologia-
Palavras-chave: dc.subjectCircuitos integrados - desempenho-
Palavras-chave: dc.subjectTransistores-
Título: dc.titleAnálise comparativa entre interconexões de nanotubo de carbono e interconexões de cobre para circuitos GSI/TSI-
Título: dc.titleComparative analysis between carbon nanotube interconnects and copper interconnects for GSI/TSI circuits-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
Aparece nas coleções:Repositório Institucional – UNB

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