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Metadados | Descrição | Idioma |
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Autor(es): dc.creator | Santos, Ramiro Marcelo dos | - |
Autor(es): dc.creator | Cunha, Wiliam Ferreira da | - |
Autor(es): dc.creator | Giozza, William F. | - |
Autor(es): dc.creator | Sousa Júnior, Rafael Timóteo de | - |
Autor(es): dc.creator | Roncaratti, Luiz F. | - |
Autor(es): dc.creator | Ribeiro Júnior, Luiz Antônio | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2024-10-23T16:08:27Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2024-10-23T16:08:27Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2021-06-07 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2021-06-07 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2021-05-16 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | https://repositorio.unb.br/handle/10482/41110 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | https://doi.org/10.1016/j.cplett.2021.138495 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/capes/900788 | - |
Descrição: dc.description | The electronic and structural properties of Janus MoSSe/MoX2 (X = S,Se) in-plane heterojunctions, endowed with single-atom vacancies, were studied using density functional theory calculations. The stability of these structures was verified from cohesion energy calculations. Results showed that single-atom vacancies induce the appearance of flat midgap states, and a substantial amount of charge is localized in the vicinity of these defects. As a consequence, these heterojunctions presented an intrinsic dipole moment. No bond reconstructions were noted by removing an atom from the lattice, regardless of its chemical species. Our calculations predicted indirect electronic bandgap values between 1.6 and 1.7 eV. | - |
Publicador: dc.publisher | Elsevier B.V. | - |
Relação: dc.relation | https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0009261421001780 | - |
Direitos: dc.rights | Acesso Restrito | - |
Palavras-chave: dc.subject | Janus TMDs | - |
Palavras-chave: dc.subject | Heterojunções | - |
Palavras-chave: dc.subject | MoS2 | - |
Palavras-chave: dc.subject | MoSe 2 | - |
Palavras-chave: dc.subject | DFT | - |
Título: dc.title | Electronic and structural properties of Janus MoSSe/MoX2 (X = S,Se) in-plane heterojunctions : a DFT study | - |
Tipo de arquivo: dc.type | livro digital | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional – UNB |
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