Electron-phonon scattering in graded quantum dots

Registro completo de metadados
MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.creatorDiniz, G. S.-
Autor(es): dc.creatorQu, Fanyao-
Autor(es): dc.creatorDiniz Neto, Omar de Oliveira-
Autor(es): dc.creatorMilla, Augusto Miguel Alcalde-
Data de aceite: dc.date.accessioned2024-10-23T15:44:19Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2024-10-23T15:44:19Z-
Data de envio: dc.date.issued2010-12-15-
Data de envio: dc.date.issued2010-12-15-
Data de envio: dc.date.issued2006-06-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://repositorio.unb.br/handle/10482/6175-
Fonte completa do material: dc.identifierhttps://dx.doi.org/10.1590/S0103-97332006000300037-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/capes/890686-
Descrição: dc.descriptionTheoretical calculations of electron-phonon scattering rates in GaAs/AlxGa1¡xAs spherical quantum dots have been performed by means of effective mass approximation in the frame of finite element method. The influence of a roughness interface and external magnetic fields are analysed for different scattering rate transition. Our results open interesting channels for electron dephasing times manipulation. Keywords: Theoretical calculations; Electron-phonon scattering; GaAs/AlxGa1¡xAs-
Formato: dc.formatapplication/pdf-
Direitos: dc.rightsAcesso Aberto-
Palavras-chave: dc.subjectCálculo-
Palavras-chave: dc.subjectFóton-
Palavras-chave: dc.subjectElétrons-
Título: dc.titleElectron-phonon scattering in graded quantum dots-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
Aparece nas coleções:Repositório Institucional – UNB

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