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Metadados | Descrição | Idioma |
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Autor(es): dc.creator | Enders Neto, Bernhard Georg | - |
Autor(es): dc.creator | Lima, Fábio Menezes de Souza | - |
Autor(es): dc.creator | Fonseca, Antonio Luciano de Almeida | - |
Autor(es): dc.creator | Nunes, O. A. C. | - |
Autor(es): dc.creator | Silva Júnior, Eronides Felisberto da | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2024-10-23T15:29:50Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2024-10-23T15:29:50Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2010-12-10 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2010-12-10 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2009-04 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://repositorio.unb.br/handle/10482/6152 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/capes/884585 | - |
Descrição: dc.description | The results of an accurate theoretical study on the effects of non-abrupt doping and interfacial profiles on the electron sheet density in one-side modulation-doped wurtzite GaN/AlGaN single quantum wells at low temperatures are presented. We solve coupled Schr¨odinger and Poisson equations self-consistently via the finite difference method. By employing a proper discretization on a nonuniform grid and taking into account the strong piezoelectric and spontaneous polarization fields exhibited by the wurtzite III-nitride heterostructures, a substantial increase in the 2DEG density is predicted with the increase of the donor diffusion length and the reduction of the spacer thickness. | - |
Formato: dc.format | application/pdf | - |
Direitos: dc.rights | Acesso Aberto | - |
Palavras-chave: dc.subject | Elétrons | - |
Palavras-chave: dc.subject | Física quântica | - |
Título: dc.title | Effect of non-abrupt doping and interfacial profiles on the carrier sheet density in one-side modulation-doped GaN/AlGaN quantum wells | - |
Tipo de arquivo: dc.type | livro digital | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional – UNB |
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