Anéis quânticos: efeitos topológicos e de campo elétrico

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Autor(es): dc.contributorLatgé, Andréa Brito-
Autor(es): dc.contributorCPF:63853710778-
Autor(es): dc.contributorhttp://genos.cnpq.br:12010/dwlattes/owa/prc_imp_cv_int?f_cod=K4790329H8-
Autor(es): dc.creatorLavenère-wanderley, Luiz Alberto Barreto-
Data de aceite: dc.date.accessioned2024-07-11T18:33:35Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2024-07-11T18:33:35Z-
Data de envio: dc.date.issued2021-03-10-
Data de envio: dc.date.issued2011-03-31-
Data de envio: dc.date.issued2021-03-10-
Data de envio: dc.date.issued1999-01-01-
Fonte completa do material: dc.identifierhttps://app.uff.br/riuff/handle/1/17357-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/capes/772892-
Descrição: dc.descriptionQuantum rings can be viewed as a class of nanostructures which also presents quantum confinement effects leading to significant changes on optical and electronic properties. In particular, the electronic energy spectrum and wave functions of nanosystems are quite sensitive to electric fields due to the generated polarization of the spatial carrier distribution. These changes may be monitored to control and modulate output intensity of optoelectronic devices. In the present work, the polarization effects of an in-plane applied electric field on the physical properties of semiconductor quantum rings are discussed within the context of the effective-mass approximation. Electronic and hole states (ground and excited ones) of GaAs quantum rings of different electric field intensities. The effects of the annular topology of the quantum rings on the electronic properties are discussed and in particular we analyze the energy spectra of an electron in the conduction band and a hole in the valence band in the case in which the system does not present perfect symmetry, i. e., in in the case when the internal and external ring circles are not concentric. The dependence of the Stark shift of interband transitions on the electric fiend intensity is also presented.-
Descrição: dc.descriptionCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior-
Descrição: dc.descriptionAnéis quânticos podem ser vistos como uma classe de nanoestruturas que apresentam efeitos de confinamento quântico que provocam alterações significativas nas propriedades eletrônicas e ópticas. Em particular, o espectro de energia eletrônica e as funções de onda de nanosistemas são muito sensíveis à aplicação de campos elétricos devido à polarização gerada na distribuição espacial dos portadores de corrente. Estas alterações podem ser monitoradas para controlar e modular, por exemplo, as saídas de intensidades de dispositivos optoeletrônicos. Neste trabalho analisamos os efeitos de polarização de um campo elétrico aplicado no plano sobre as propriedades físicas de anéis quânticos semicondutores dentro do contexto da aproximação da massa efetiva. Calculamos os estados eletrônicos fundamental e excitados e de buracos de anéis de GaAs de diferentes tamanhos, considerando diferentes regimes de confinamento e intensidades de campos elétricos. Os efeitos da topologia anelar da estrutura quântica são discutidos e em particular analisamos o espectro de energia de um eletron na banda de condução e de um buraco na banda de valência no caso em que o sistema não apresenta a simetria perfeita do anel, ou seja, os círculos que definem as paredes interna e externa do anel deixam de ser concêntricos. Apresentamos também um estudo da dependência do desvio de Stark das transições interbandas com a intensidade do campo elétrico.-
Formato: dc.formatapplication/pdf-
Formato: dc.formatapplication/pdf-
Idioma: dc.languagept_BR-
Publicador: dc.publisherPrograma de Pós-graduação em Física-
Publicador: dc.publisherFísica-
Direitos: dc.rightsAcesso Aberto-
Direitos: dc.rightsCC-BY-SA-
Palavras-chave: dc.subjectSemicondutores de baixa dimensionalidade-
Palavras-chave: dc.subjectNanoestrutura-
Palavras-chave: dc.subjectCNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA-
Título: dc.titleAnéis quânticos: efeitos topológicos e de campo elétrico-
Tipo de arquivo: dc.typeDissertação-
Aparece nas coleções:Repositório Institucional da Universidade Federal Fluminense - RiUFF

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