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Metadados | Descrição | Idioma |
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Autor(es): dc.contributor | França, Bruno Wanderley | - |
Autor(es): dc.contributor | Bitencourt, Alexandre Arruda | - |
Autor(es): dc.contributor | Sotelo, Guilherme Gonçalves | - |
Autor(es): dc.contributor | Castano, Jorge Eliécer Caicedo | - |
Autor(es): dc.creator | Silva, Marilia de Mello Amorim Novais e | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2024-07-11T18:02:19Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2024-07-11T18:02:19Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2022-07-29 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2022-07-29 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2021 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://app.uff.br/riuff/handle/1/25906 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/capes/762313 | - |
Descrição: dc.description | Nos últimos anos, com o desenvolvimento da tecnologia de semicondutores, o IGBT tem sido aperfeiçoado para suportar maiores níveis de corrente e tensão em frequências de chaveamento mais elevadas. Devido a isso, os IGBTs tem sido amplamente usado em aplicações industriais. A modelagem computacional representa uma importante etapa no projeto e analise de equipamentos. Assim, este trabalho apresenta um modelo comportamental eletrotérmico de IGBT capaz de reproduzir as principais características estáticas e dinamicas da chave, levando em consideração a influencia da mudança da temperatura nos parâmetros elétricos da modelagem. A partir dos resultados obtidos, foi possível verificar que o modelo consegue reproduzir de forma satisfatória as características da chave simulada, desta forma, podendo ser utilizado em aplicações como dimensionamento de circuitos elétricos. | - |
Descrição: dc.description | In recent years, the development of power semiconductor technology led to an enhancement in the IGBT power level, allowing the semiconductor to withstand greater levels of currents and voltages at higher switching frequencies. Due to it, the use of high-power IGBTs in industrial applications has increased. Computational modeling performs a critical step in the project and analysis of an industrial application. Thus, this work presents a behavioral IGBT model that can reproduce the main static and dynamic characteristics of an IGBT considereing the temperature influence. The comparison between the simulated and experimental results showed that the model can reproduce the characteristics of the simulated IGBT satisfactory. | - |
Descrição: dc.description | 63 p. | - |
Formato: dc.format | application/pdf | - |
Idioma: dc.language | pt_BR | - |
Direitos: dc.rights | Open Access | - |
Direitos: dc.rights | CC-BY-SA | - |
Palavras-chave: dc.subject | IGBT | - |
Palavras-chave: dc.subject | Modelo comportamental | - |
Palavras-chave: dc.subject | Modelagem de IGBT | - |
Palavras-chave: dc.subject | Obtenção de parâmetros | - |
Palavras-chave: dc.subject | Modelagem eletrotérmica | - |
Palavras-chave: dc.subject | Engenharia elétrica | - |
Palavras-chave: dc.subject | Semicondutor | - |
Palavras-chave: dc.subject | Modelagem computacional | - |
Palavras-chave: dc.subject | Behavioral model | - |
Palavras-chave: dc.subject | Modelling | - |
Palavras-chave: dc.subject | Semiconductor | - |
Palavras-chave: dc.subject | Solid state switch | - |
Título: dc.title | Implementação e validação de uma modelagem comportamental eletrotérmica de IGBT | - |
Tipo de arquivo: dc.type | Trabalho de conclusão de curso | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional da Universidade Federal Fluminense - RiUFF |
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