Estudo teórico da impureza de índio no nanofio de telureto de estanho (SnTe)

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Autor(es): dc.contributorWrasse, Ernesto Osvaldo-
Autor(es): dc.contributorWrasse, Ernesto Osvaldo-
Autor(es): dc.contributorSchneider, Ricardo-
Autor(es): dc.contributorFernandes, Marcelo-
Autor(es): dc.creatorStefan, Maicon Luan-
Data de aceite: dc.date.accessioned2022-02-21T21:26:35Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2022-02-21T21:26:35Z-
Data de envio: dc.date.issued2021-02-25-
Data de envio: dc.date.issued2021-02-25-
Data de envio: dc.date.issued2018-06-20-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://repositorio.utfpr.edu.br/jspui/handle/1/24434-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/capes/652741-
Descrição: dc.descriptionThe search of new energy sources has been going to the study of thermoelectrics materials. One candidate to be an efficient thermoelectric are the semiconductor nanowires. SnTe is one of the most studded materials for application in thermoelectric devices, and recent studies show that quantum confinement and doping of thos material can be increase your thermoelectric efficiency. In our work we study SnTe bulk and nanowire doped with Group IIIA elements (Al, Ga, In and Tl). Computational calculations were realized with the Density Functional Theory (DFT), as implemented in the VASP code. Our results for SnTe electronic properties indicate an increase in the thermoelectric efficiency with quantum confinement, due an increase of the density of states near valence band maximum and conduction band minimum. Among the impurities studied, Ga and Tl substitucional to Sn introduce impuritiy levels near the VBM, making these doping good candidates to improve the thermoelectric efficient of SnTe nanowires.-
Descrição: dc.descriptionA busca por nova fontes de energia tem levado ao estudo de materiais termoelétricos. Um dos candidatos a serem materiais termoelétricos eficientes são os nanofios semicondutores. O SnTe é um dos materiais mais estudados para a aplicação em dispositivos termoelétricos, e estudos recentes mostram que o confinamento quântico e a dopagem deste material podem aumentar a sua eficiência termoelétrica. Neste trabalho estudamos a dopagem do bulk e do nanofio do SnTe com os elementos do Grupo IIIA (In, Al, Ga e Tl). Os Cálculos computacionais foram realizados com a Teoria do Funcional de Densidade (DFT), conforme implementado no código VASP. Nossos resultados para as propriedades eletrônicas do SnTe indicam um acréscimo na eficiência termoelétrica com o confinamento quântico, devido a um aumento na densidade de estados próximo ao topo da banda de valência e ao fundo da banda de condução. Entre as impurezas estudadas, Ga e Tl substitucionais ao Sn introduzem níveis de impureza próximo ao topo da banda de valência, tornando-os bons candidatos para aumentar a eficiência termoelétrica de nanofios de SnTe.-
Formato: dc.formatapplication/pdf-
Idioma: dc.languagept_BR-
Publicador: dc.publisherUniversidade Tecnológica Federal do Paraná-
Publicador: dc.publisherToledo-
Publicador: dc.publisherBrasil-
Publicador: dc.publisherTecnologia em Processos Químicos-
Publicador: dc.publisherUTFPR-
Direitos: dc.rightsopenAccess-
Palavras-chave: dc.subjectNanotecnologia-
Palavras-chave: dc.subjectTermoeletricidade-
Palavras-chave: dc.subjectSemicondutores-
Palavras-chave: dc.subjectNanotechnology-
Palavras-chave: dc.subjectThermoelectricity-
Palavras-chave: dc.subjectSemiconductors-
Palavras-chave: dc.subjectCNPQ::ENGENHARIAS-
Título: dc.titleEstudo teórico da impureza de índio no nanofio de telureto de estanho (SnTe)-
Título: dc.titleTheoretical study of indium impurity in tin telluride (SnTe) nanowire-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
Aparece nas coleções:Repositorio Institucional da UTFPR - RIUT

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