Desenvolvimento de filmes finos de óxidos condutores e transparentes de ZnO para aplicação em células solares.

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Autor(es): dc.contributorBranco, José Roberto Tavares-
Autor(es): dc.creatorSabino, Milena Emerenciano Luz-
Data de aceite: dc.date.accessioned2019-11-06T13:28:08Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2019-11-06T13:28:08Z-
Data de envio: dc.date.issued2013-06-10-
Data de envio: dc.date.issued2013-06-10-
Data de envio: dc.date.issued2007-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/123456789/2905-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/capes/555968-
Descrição: dc.descriptionNeste trabalho foram desenvolvidos filmes finos condutores e transparentes de óxido de zinco (ZnO) sem dopagem, com transmitância e condutividade elétrica adequadas para aplicação como contato frontal de células fotovoltaicas. Devido à sua estabilidade química, boas propriedades ópticas e elétricas, largo band gap, abundância na natureza e baixa toxicidade, filmes finos de ZnO são atualmente os materiais mais utilizados como óxido condutores e transparentes. Os filmes foram produzidos por evaporação reativa, por feixe de elétrons e com assistência de plasma de argônio mais oxigênio. Usou-se também pulverização catódica reativa, com corrente contínua (sputtering D.C.) e alvo de zinco, em atmosfera de argônio e oxigênio. Para o desenvolvimento dos parâmetros, usou-se como principais variáveis dependentes a resistividade elétrica e a transmitância na região do visível dos filmes. Como variáveis independentes usou-se potência de sputtering, pressão parcial de oxigênio e temperatura de substrato. O tratamento termoquímico utilizando atmosfera de oxigênio resultou no aumento da transmitância na região do visível e da resistividade elétrica dos filmes produzidos por feixe de elétrons. Os parâmetros críticos para obtenção de um bom compromisso entre a resistividade e a transmitância foram obtidos controlando a pressão parcial de oxigênio entre 0,083 e 2,8x10-3mbar. Com isso foi possível obter filmes de ZnO com transmitância de 78% e baixa resistividade de 1,13.10-1 Ω.cm pela técnica de sputtering D.C. __________________________________________________________________________________________-
Descrição: dc.descriptionABSTRACT: Neste trabalho foram desenvolvidos filmes finos condutores e transparentes de óxido de zinco (ZnO) sem dopagem, com transmitância e condutividade elétrica adequadas para aplicação como contato frontal de células fotovoltaicas. Devido à sua estabilidade química, boas propriedades ópticas e elétricas, largo band gap, abundância na natureza e baixa toxicidade, filmes finos de ZnO são atualmente os materiais mais utilizados como óxido condutores e transparentes. Os filmes foram produzidos por evaporação reativa, por feixe de elétrons e com assistência de plasma de argônio mais oxigênio. Usou-se também pulverização catódica reativa, com corrente contínua (sputtering D.C.) e alvo de zinco, em atmosfera de argônio e oxigênio. Para o desenvolvimento dos parâmetros, usou-se como principais variáveis dependentes a resistividade elétrica e a transmitância na região do visível dos filmes. Como variáveis independentes usou-se potência de sputtering, pressão parcial de oxigênio e temperatura de substrato. O tratamento termoquímico utilizando atmosfera de oxigênio resultou no aumento da transmitância na região do visível e da resistividade elétrica dos filmes produzidos por feixe de elétrons. Os parâmetros críticos para obtenção de um bom compromisso entre a resistividade e a transmitância foram obtidos controlando a pressão parcial de oxigênio entre 0,083 e 2,8x10-3mbar. Com isso foi possível obter filmes de ZnO com transmitância de 78% e baixa resistividade de 1,13.10-1 Ω.cm pela técnica de sputtering D.C.-
Idioma: dc.languagept_BR-
Publicador: dc.publisherPrograma de Pós-Graduação em Engenharia de Materiais. Rede Temática em Engenharia de Materiais, Pró-Reitoria de Pesquisa e Pós-Graduação, Universidade Federal de Ouro Preto.-
Palavras-chave: dc.subjectCélulas solares-
Palavras-chave: dc.subjectFilmes finos-
Palavras-chave: dc.subjectÓxido de zinco-
Palavras-chave: dc.subjectDeposição física de vapor-
Título: dc.titleDesenvolvimento de filmes finos de óxidos condutores e transparentes de ZnO para aplicação em células solares.-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
Aparece nas coleções:Repositório Institucional - UFOP

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