Fabrication and electrical performance of high-density arrays of nanometric silicon tips

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MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.creatorCarvalho, Edson José de-
Autor(es): dc.creatorAlves, Marco Antônio Robert-
Autor(es): dc.creatorBraga, Edmundo da Silva-
Autor(es): dc.creatorCescato, Lucila Helena Deliesposte-
Data de aceite: dc.date.accessioned2019-11-06T13:25:38Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2019-11-06T13:25:38Z-
Data de envio: dc.date.issued2012-11-26-
Data de envio: dc.date.issued2012-11-26-
Data de envio: dc.date.issued2010-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/123456789/1827-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/capes/555133-
Descrição: dc.descriptionWe propose and demonstrate a simple and low cost process for the fabrication of large area arrays of nanometric silicon tips, for use as Field Emission Devices (FEDs). The process combines Interference Lithography (IL) with isotropic Reactive Ion Etching (RIE). Si tips with typical curvature radius of 20 nm and height of 900 nm were recorded with a periodicity of 1 lm (density of 106 tips/mm2 ) covering a Silicon wafer of 2 in. The measurement of the electrical performance of the arrays demonstrates the fea-sibility of the association of these two techniques for recording Field Emission Tips.-
Idioma: dc.languageen-
Direitos: dc.rightsO Periódico Microelectronic Engineering concede permissão para depósito do artigo no Repositório Institucional da UFOP. Número da licença: 3306990421263.-
Palavras-chave: dc.subjectInterference Lithography-
Palavras-chave: dc.subjectReactive Ion Etching (RIE)-
Palavras-chave: dc.subjectSilicon tips-
Palavras-chave: dc.subjectField Emission Devices-
Título: dc.titleFabrication and electrical performance of high-density arrays of nanometric silicon tips-
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