Comportamento elétrico de mulita obtida do topázio

Registro completo de metadados
MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.creatorSoares, Robson de Miranda-
Autor(es): dc.creatorSoares, Demétrio Artur Werner-
Autor(es): dc.creatorHosken, Camila Martins-
Autor(es): dc.creatorMachado, Wagner Souza-
Autor(es): dc.creatorFerraz, Wilmar Barbosa-
Autor(es): dc.creatorSabioni, Antônio Claret Soares-
Data de aceite: dc.date.accessioned2019-11-06T13:24:42Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2019-11-06T13:24:42Z-
Data de envio: dc.date.issued2012-08-08-
Data de envio: dc.date.issued2012-08-08-
Data de envio: dc.date.issued2005-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/123456789/1267-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/capes/554824-
Descrição: dc.descriptionMedidas de resistividades elétricas de cerâmicas de mulita do topázio, com a razão Al2O3/SiO2 igual a 1,63, foram realizadas entre 25º e 324ºC. Pós de mulita com diferentes granulometrias foram compactados na forma de pastilhas cilíndricas sob pressão de 60 e 100kN/cm2. Os corpos verdes foram sintentizados a 1600ºC, 4h, em ar. As densificações variaram de 78,49% (mulita de baixa densidade) a 93,04% (mulita de alta densidade). As resistividades variaram de 10^10 ohm.m, à 25º C a 10^4 ohm.m a 324ºC. As energias de ativação foram iguais a 0,8 eV. Nas condições experimentais utilizadas, a mulita tem comportamento de semicondutor intríseco e os valores obtidos para a largura da faixa proibida de energia foram 1,54 eV e 1,74 eV, para as mulitas de baixa e alta densidades, respectivamente. Esses valores são intermediários aos disponíveis na literatura para mulita 3:2 e mulita 2:1.-
Idioma: dc.languagept_BR-
Palavras-chave: dc.subjectMulita-
Palavras-chave: dc.subjectCerâmica-
Palavras-chave: dc.subjectSintetização-
Palavras-chave: dc.subjectResistividade elétrica-
Título: dc.titleComportamento elétrico de mulita obtida do topázio-
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