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| Metadados | Descrição | Idioma |
|---|---|---|
| Autor(es): dc.creator | Deus, Dominike Pacine de Andrade | - |
| Autor(es): dc.creator | Oliveira, Igor Saulo Santos de | - |
| Data de aceite: dc.date.accessioned | 2026-02-09T12:40:32Z | - |
| Data de disponibilização: dc.date.available | 2026-02-09T12:40:32Z | - |
| Data de envio: dc.date.issued | 2020-08-27 | - |
| Data de envio: dc.date.issued | 2020-08-27 | - |
| Data de envio: dc.date.issued | 2020-05 | - |
| Fonte completa do material: dc.identifier | https://repositorio.ufla.br/handle/1/42683 | - |
| Fonte completa do material: dc.identifier | https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-648X/ab8bf8 | - |
| Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/capes/1166048 | - |
| Descrição: dc.description | We use first-principles simulations to investigate the structural and electronic properties of a heterostructure formed by graphene and monolayer GeI2 (m-GeI2). While graphene has been extensively studied in the last 15 years, m-GeI2 has been recently proposed to be a stable 2D semiconductor with a wide-band gap, Liu et al (2018 J. Phys. Chem. C 122 22137). By staking both structures we obtain a metal-semiconductor junction, with great potential for applications in the designing of new (opto)electronic devices. The results show that the graphene Dirac cone is preserved in the graphene/m-GeI2 heterostructure. We find that there are no chemical bonds at the graphene and m-GeI2 interface, thus the heterostructure interactions are ruled by van der Waals (vdW) forces. The interface between graphene and m-GeI2 results in a n-type Schottky contact. Furthermore, we show that a transition from n-type to p-type Schottky contact can be obtained by decreasing the interlayer distance. We also modulated the Schottky barrier heights by applying a perpendicular external electric field through the vdW heterostructure. In particular, positive values resulted in an increase of the n-type Schottky barrier height, while negative electric field values induced a transition from n-type to p-type Schottky contact. From our results, we show that m-GeI2 is an interesting material to design new electronic Schottky devices based on graphene vdW heterostructures. | - |
| Idioma: dc.language | en | - |
| Publicador: dc.publisher | IOP Publishing | - |
| Direitos: dc.rights | restrictAccess | - |
| ???dc.source???: dc.source | Journal of Physics: Condensed Matter | - |
| Palavras-chave: dc.subject | Metal-semiconductor | - |
| Palavras-chave: dc.subject | Optoelectronic devices | - |
| Palavras-chave: dc.subject | Electronic Schottky devices | - |
| Palavras-chave: dc.subject | Barreiras Schottky | - |
| Palavras-chave: dc.subject | Heteroestruturas de grafeno | - |
| Palavras-chave: dc.subject | Dispositivos optoeletrônicos | - |
| Palavras-chave: dc.subject | Semicondutores | - |
| Título: dc.title | Tuning the Schottky barrier height in graphene/monolayer-GeI2 van der Waals heterostructure | - |
| Tipo de arquivo: dc.type | Artigo | - |
| Aparece nas coleções: | Repositório Institucional da Universidade Federal de Lavras (RIUFLA) | |
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