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Propriedades eletrônicas de nanofitas de grafeno depositadas em nitreto de boro hexagonal.
Use este link compartilhar ou citar este material: http://educapes.capes.gov.br/handle/capes/1004326
Registro completo de metadados
| Metadados | Descrição | Idioma |
|---|---|---|
| Autor(es): dc.contributor | Batista, Ronaldo Junio Campos | - |
| Autor(es): dc.contributor | Batista, Ronaldo Junio Campos | - |
| Autor(es): dc.contributor | Oliveira, Alan Barros de | - |
| Autor(es): dc.contributor | Moraes, Elizane Efigenia de | - |
| Autor(es): dc.creator | Silva, Gabriel Leandro Alves da | - |
| Data de aceite: dc.date.accessioned | 2025-08-21T15:10:25Z | - |
| Data de disponibilização: dc.date.available | 2025-08-21T15:10:25Z | - |
| Data de envio: dc.date.issued | 2024-11-10 | - |
| Data de envio: dc.date.issued | 2024-11-10 | - |
| Data de envio: dc.date.issued | 2023 | - |
| Fonte completa do material: dc.identifier | https://www.repositorio.ufop.br/handle/123456789/18954 | - |
| Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/capes/1004326 | - |
| Descrição: dc.description | Programa de Pós-Graduação em Ciências – Física de Materiais. Departamento de Física, Instituto de Ciências Exatas e Biológicas, Universidade Federal de Ouro Preto. | - |
| Descrição: dc.description | Neste trabalho de dissertação é apresentada uma investigação, por meio de cálculos de pri- meiros princípios baseados na teoria do funcional da densidade, das propriedades eletrônicas de fitas de grafeno na orientação zigue-zague imersas em nitreto de boro hexagonal (h-BN) depositas sobre h-BN. Por estarem imersas em h-BN, estas fitas devem, em princípio, ser mais facilmente manipuladas que fitas com bordas hidrogenadas. Sendo assim, variamos o tipo de empilhamento dos átomos da fita de grafeno imersa em relação à monocamada de nitreto de boro na qual está depositada e comparamos com resultados obtidos com resultados análogos para a fita hidrogenada. Observamos que as características eletrônicas da fita de grafeno com bordas hidrogenadas praticamente não alteram suas características eletrônicas quando é depo- sitada sobre o grafeno independentemente do tipo de empilhamento. Em contraste, isso não ocorre quando a fita está imersa contato átomos de nitrogênio e boro em bordas opostas. A deposição em h-BN abre um gap nas bandas próximo ao nível de Fermi tornando a estrutura semicondutora. Neste caso, o empilhamento varia o largura do gap. Investigamos também o efeito de defeitos como divacâncias nas propriedades eletrônicas das fitas. Observamos que a presença de defeitos alteram significativamente as propriedades eletrônicas e magnéticas das fitas. Na maioria dos casos, o defeito tornava a fita imersa em h-BN metálica. As exceções ocorrem para os defeitos de divacância de nitrogênio, nesses casos observa-se uma variação do gap heteroestrutura. | - |
| Descrição: dc.description | In this dissertation, an investigation is presented using first-principles calculations based on density functional theory to study the electronic properties of zigzag-oriented graphene nano- ribbons immersed in hexagonal boron nitride (h-BN) and deposited on h-BN. Since these nano- ribbons are immersed in h-BN, they should, in principle, be easier to manipulate than hydrogen- passivated nanoribbons. Therefore, we varied the stacking of the graphene nanoribbon atoms relative to the boron nitride monolayer on which it is deposited and compared the results with those obtained for hydrogenated nanoribbons. We observed that the electronic characteristics of hydrogen-passivated graphene nanoribbons remain almost unchanged when deposited on h-BN, regardless of the stacking configuration. In contrast, this is not the case when the nanoribbon is in contact with nitrogen and boron atoms at opposite edges. The deposition on h-BN opens a gap in the bands near the Fermi level, making the structure semiconducting. In this case, the stacking affects the width of the gap. We also investigated the effect of defects such as divacan- cies on the electronic properties of the nanoribbons. We observed that the presence of defects significantly alters the electronic and magnetic properties of the nanoribbons. In most cases, the defect renders the h-BN-immersed nanoribbon metallic. The exceptions occur for nitrogen divacancy defects, where a variation in the heterostructure gap is observed. | - |
| Formato: dc.format | application/pdf | - |
| Idioma: dc.language | pt_BR | - |
| Direitos: dc.rights | aberto | - |
| Direitos: dc.rights | Attribution-NonCommercial-ShareAlike 3.0 United States | - |
| Direitos: dc.rights | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/us/ | - |
| Direitos: dc.rights | Autorização concedida ao Repositório Institucional da UFOP pelo(a) autor(a) em 01/10/2024 com as seguintes condições: disponível sob Licença Creative Commons 4.0 que permite copiar, distribuir e transmitir o trabalho, desde que sejam citados o autor e o licenciante. Não permite o uso para fins comerciais. | - |
| Palavras-chave: dc.subject | Heteroestruturas | - |
| Palavras-chave: dc.subject | Grafeno | - |
| Palavras-chave: dc.subject | Nitreto de boro hexagonal | - |
| Palavras-chave: dc.subject | Defeitos | - |
| Palavras-chave: dc.subject | Propriedades eletrônicas | - |
| Título: dc.title | Propriedades eletrônicas de nanofitas de grafeno depositadas em nitreto de boro hexagonal. | - |
| Tipo de arquivo: dc.type | livro digital | - |
| Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - UFOP | |
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