Transistor vertical orgânico análogo a uma estrutura

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Autor(es): dc.contributorHummelgen, Ivo Alexandre, 1963--
Autor(es): dc.contributorMeruvia, Michelle Sostag-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Federal do Paraná. Setor de Tecnologia. Programa de Pós-Graduação em Engenharia e Ciências dos Materiais-
Autor(es): dc.creatorTavares, Ana Carolina Batista-
Data de aceite: dc.date.accessioned2019-08-21T23:57:41Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2019-08-21T23:57:41Z-
Data de envio: dc.date.issued2014-07-25-
Data de envio: dc.date.issued2014-07-25-
Data de envio: dc.date.issued2014-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/1884/35637-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/1884/35637-
Descrição: dc.descriptionResumo: O presente trabalho tem como objetivo produzir e caracterizar transistores verticais em uma estrutura semicondutor tipo n / metal / semicondutor tipo p utilizando apenas materiais orgânicos. O trabalho teve inicio com a busca do material para formar o coletor, escolheu-se o polibitiofeno (PBT), um material tipo p que e eletroquimicamente depositado. Para a base optou-se por usar um filme fino Poli(3,4-etilenodioxitiofeno)-poli(sulfonato de estireno) (PEDOT:PSS). O material orgânico escolhido para formar o emissor foi o Tris(8-hidroxido quinolina) alumínio (Alq3), um material tipo n. Foram realizadas medidas de voltametria cíclica e de absorbância para caracterização dos materiais. As características elétricas dos dispositivos foram realizadas a dois e a três terminais.-
Formato: dc.formatapplication/pdf-
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Palavras-chave: dc.subjectDissertações-
Título: dc.titleTransistor vertical orgânico análogo a uma estrutura-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
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