Transistor vertical orgânico análogo a uma estrutura : semicondutor tipo N/metal/semicondutor tipo P

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MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.contributorHummelgen, Ivo Alexandre, 1963--
Autor(es): dc.contributorMeruvia, Michelle Sostag-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Federal do Paraná. Setor de Tecnologia. Programa de Pós-Graduação em Engenharia e Ciência dos Materiais - PIPE-
Autor(es): dc.creatorTavares, Ana Carolina Batista-
Data de aceite: dc.date.accessioned2025-09-01T11:31:13Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2025-09-01T11:31:13Z-
Data de envio: dc.date.issued2024-12-09-
Data de envio: dc.date.issued2024-12-09-
Data de envio: dc.date.issued2014-
Fonte completa do material: dc.identifierhttps://hdl.handle.net/1884/35637-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/1884/35637-
Descrição: dc.descriptionOrientador: Profª Drª Ivo Alexandre Hümmelgen-
Descrição: dc.descriptionCoorientadora: Profª. Drª. Michelle Sostag Meruvia-
Descrição: dc.descriptionDissertação (mestrado) - Universidade Federal do Paraná, Setor de Tecnologia, Programa de Pós-Graduação em Engenharia e Ciências dos Materiais. Defesa: Curitiba, 18/02/2014-
Descrição: dc.descriptionInclui referências-
Descrição: dc.descriptionArea de concentração: Engenharia e ciências dos materiais-
Descrição: dc.descriptionResumo: O presente trabalho tem como objetivo produzir e caracterizar transistores verticais em uma estrutura semicondutor tipo n / metal / semicondutor tipo p utilizando apenas materiais orgânicos. O trabalho teve inicio com a busca do material para formar o coletor, escolheu-se o polibitiofeno (PBT), um material tipo p que e eletroquimicamente depositado. Para a base optou-se por usar um filme fino Poli(3,4-etilenodioxitiofeno)-poli(sulfonato de estireno) (PEDOT:PSS). O material orgânico escolhido para formar o emissor foi o Tris(8-hidroxido quinolina) alumínio (Alq3), um material tipo n. Foram realizadas medidas de voltametria cíclica e de absorbância para caracterização dos materiais. As características elétricas dos dispositivos foram realizadas a dois e a três terminais.-
Descrição: dc.descriptionAbstract: The presente work has the objective to produce and characterize vertical transistors in a semiconductor type n / metal / semiconductor type p structure using only organic materials. The work began with the choose of material to form the collector, was chosen the polybityophene (PBT), that is a type p material and is electrochemically deposited. For the base layer we decided to use a thin film of poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS). The organic material chosen for the emitter layer was Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium (Alq3), a type n material. Was made measurements of cyclic voltammetry and absorbance for to characterize the materials. The electrical characteristic of the devices were made in a two and three terminals mode.-
Formato: dc.format79f. : il., grafs., algumas color.-
Formato: dc.formatapplication/pdf-
Formato: dc.formatapplication/pdf-
Relação: dc.relationDisponível em formato digital-
Palavras-chave: dc.subjectTransistores-
Palavras-chave: dc.subjectEngenharia de Materiais e Metalurgia-
Título: dc.titleTransistor vertical orgânico análogo a uma estrutura : semicondutor tipo N/metal/semicondutor tipo P-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
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