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Metadados | Descrição | Idioma |
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Autor(es): dc.contributor | Artuzi Junior, Wilson Arnaldo | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade Federal do Paraná. Setor de Tecnologia. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica | - |
Autor(es): dc.creator | Nypwipwy, Vithor Bernardo | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2019-08-22T00:10:59Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2019-08-22T00:10:59Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2014-05-22 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2014-05-22 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2014 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://hdl.handle.net/1884/35089 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/1884/35089 | - |
Descrição: dc.description | Resumo: Esta dissertação que tem como objetivo fundamental a extração de parâmetros e a modelagem de transistores de efeito de campo é basicamente dividida em duas partes. A primeira parte propõe um modelo matemático de interpolação através do método dos mínimos quadrados iterativo, com objetivo de extrair parâmetros lineares de transistores MESFETs e HEMTs a partir de tabelas de parâmetros de espalhamento, fornecidos pelo fabricante dos dispositivos. Com os valores dos elementos do circuito de pequenos sinais extraídos, são calculados parâmetros de espalhamento e os resultados são posteriormente comparados com os dados do fabricante. Na segunda parte, um dos transistores HEMT, cujos parâmetros de circuito equivalente de pequenos sinais foram extraídos na primeira parte, é modelado através do método de interpolação bi-cúbica e simulado operando como amplificador sobre uma linha de transmissão do tipo microstrip, através de dois simuladores: o método dos elementos finitos no domínio do tempo (FETD) e QUCS. Os resultados do método FETD e do simulador QUCS são comparados entre si. Uma modelagem de grandes sinais é realizada através do FETD para a análise dos fenômenos não lineares através de curvas de potência de entrada e de saída. | - |
Formato: dc.format | application/pdf | - |
Formato: dc.format | application/pdf | - |
Palavras-chave: dc.subject | Teses | - |
Título: dc.title | Modelagem de transistores de efeito de campo com extração de parâmetros baseada nos métodos dos mínimos quadrados iterativo e de interpolação bi-cúbica | - |
Tipo de arquivo: dc.type | livro digital | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Rede Paraná Acervo |
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