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Metadados | Descrição | Idioma |
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Autor(es): dc.contributor | Hummelgen, Ivo Alexandre, 1963- | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade Federal do Paraná. Setor de Ciencias Exatas. Programa de Pós-Graduaçao em Física | - |
Autor(es): dc.creator | Rossi, Lucieli | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2019-08-22T00:44:55Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2019-08-22T00:44:55Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2013-05-20 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2013-05-20 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2013-05-20 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://hdl.handle.net/1884/30069 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/1884/30069 | - |
Descrição: dc.description | Resumo: Devido as vantagens dos materiais orgânicos, tais como baixo custo, flexibilidade e fácil processabilidade, transistores de efeito de campo que utilizam esses materiais, tem se tornado um tápico de pesquisa ativo nos Últimos anos. O desempenho dos transistores de efeito de campo organicos (OFETs) e geralmente discutido em termos da mobilidade de portadores de carga no semicondutor. Nos ultimos anos o desenvolvimento de novos semicondutores organicos e novas tecnicas de preparacão dos filmes, permitiu a obtencao de filmes organicos com alto grau de cristalinidade. Por outro lado, a geometria do dispositivo tambem afeta o desempenho. Em FETs convencionais, o comprimento do canal corresponde a distancia entre a fonte e o dreno, e na maioria dos casos, sao necessarias tecnicas de padronizacao bastante complexas de modo a se conseguir comprimentos de canal curtos. Um caminho alternativo para a construçao de FETs com comprimento de canal curto e o uso da arquitetura vertical. Nesta estrutura, o comprimento do canal pode ser controlado pela espessura da camada organica e um comprimento de canal menor do que 1 ^m pode ser conseguido facilmente. Este trabalho tem por objetivo a construcao e caracterizacão de FETs organicos em arquitetura vertical. Os dispositivos foram construídos utilizando filmes metalicos e nanotubos de carbono como eletrodo intermediário e semicondutores organicos com propriedades bem conhecidas como o fulereno C60 no canal. O alcool Polivinílico foi o material escolhido para constituir a camada isolante no dispositivo. Estes dispositivos apresentaram baixas correntes de fuga na porta, condoo necessaria para que o FET funcione efetivamente como um dispositivo de três terminais. | - |
Formato: dc.format | application/pdf | - |
Formato: dc.format | application/pdf | - |
Palavras-chave: dc.subject | Teses | - |
Palavras-chave: dc.subject | Transistores de efeito de campo | - |
Palavras-chave: dc.subject | Semicondutores organicos | - |
Palavras-chave: dc.subject | Nanotubos de carbono | - |
Título: dc.title | Transistores orgânicos de efeito de campo em arquitetura vertical | - |
Tipo de arquivo: dc.type | livro digital | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Rede Paraná Acervo |
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