Transistores de efeito de campo e dispositivos de memória baseados em polímeros e compósitos de polímeros e nanotubos de carbono

Registro completo de metadados
MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.contributorRoman, Lucimara Stolz, 1971--
Autor(es): dc.contributorUniversidade Federal do Paraná. Setor de Ciências Exatas. Programa de Pós-Graduação em Física-
Autor(es): dc.creatorPossagno, Ricardo-
Data de aceite: dc.date.accessioned2025-09-01T13:51:13Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2025-09-01T13:51:13Z-
Data de envio: dc.date.issued2025-02-11-
Data de envio: dc.date.issued2025-02-11-
Data de envio: dc.date.issued2005-
Fonte completa do material: dc.identifierhttps://hdl.handle.net/1884/2861-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/1884/2861-
Descrição: dc.descriptionOrientadora: Lucimara Stolz Roman-
Descrição: dc.descriptionInclui apêndice-
Descrição: dc.descriptionDissertação (mestrado) - Universidade Federal do Paraná, Setor de Ciências Exatas, Programa de Pós-Graduação em Física. Defesa: Curitiba, 2005-
Descrição: dc.descriptionInclui bibliografia-
Descrição: dc.descriptionResumo: Nesta dissertação apresentam-se os resultados da investigação da mobilidade de portadores de carga do poli (3-hexiltiofeno) (P3HT) em transistores de efeito de campo (FETs) usando duas geometrias construídas de forma não convencional. No dispositivo o poli(metilmetacrilato) (PMMA) é utilizado como camada isolante e são empregados contatos elétricos de níquel ou ouro. A mobilidade por efeito de campo pode ser obtida através das características corrente versus tensão aplicada, IxV, e das dimensões do canal dos dispositivos. Também é apresentado um dispositivo que pode ser usado como dispositivo de memória, em geometria planar, facilmente fabricado pela deposição de uma mistura em solução de P3HT e nanotubos de carbono multicamadas preenchidos com Fe3O4. Neste dispositivo os processos de gravar, ler e apagar são realizados eletricamente. Dispositivos semelhantes construídos com nanotubos de carbono vazios não apresentaram características de uma célula de memória. Dada a complexidade das curvas características apresentadas abre-se um leque de possibilidades para trabalhos a serem desenvolvidos.-
Descrição: dc.descriptionAbstract: This dissertation presents the results of an investigation about charge mobility in poly (3-hexiltiofeno) (P3HT) in field effect transistor (FETs) devices. Two geometries building in a non-conventional way, using poly methylmethacrylate (PMMA) insulating layer and electric contacts of nickel or gold, are discussed. The mobility for the field effect can be obtained from the current versus voltage (IxV) characteristics and from the geometry of the devices. It also presented devices based on mixtures of polymer P3HT and carbon nanotubes films as active layers. Those devices are constructed in planar geometry and can be used as memory device when the carbon nanotubes are filled with iron oxide. The memory effect was not obtained when using mixtures of P3HT and empty nanotubes. Due the complexity of the IxV characteristics, several possibilities of work might be developed.-
Formato: dc.format76f. : il. algumas color., grafs.-
Formato: dc.formatapplication/pdf-
Formato: dc.formatapplication/pdf-
Relação: dc.relationDisponível em formato digital-
Palavras-chave: dc.subjectNanotubos de carbono-
Palavras-chave: dc.subjectCompostos poliméricos-
Palavras-chave: dc.subjectPolimeros-
Palavras-chave: dc.subjectTransistores de efeito de campo-
Palavras-chave: dc.subjectFísica-
Título: dc.titleTransistores de efeito de campo e dispositivos de memória baseados em polímeros e compósitos de polímeros e nanotubos de carbono-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
Aparece nas coleções:Repositório Institucional - Rede Paraná Acervo

Não existem arquivos associados a este item.