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Metadados | Descrição | Idioma |
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Autor(es): dc.contributor | Duarte, Celso de Araujo, 1967- | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade Federal do Paraná. Setor de Ciências Exatas. Programa de Pós-Graduação em Física | - |
Autor(es): dc.creator | Jastrombek, Diana | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2025-09-01T10:29:57Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2025-09-01T10:29:57Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2025-01-22 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2025-01-22 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2012 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | https://hdl.handle.net/1884/28344 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/1884/28344 | - |
Descrição: dc.description | Orientador: Prof. Dr. Celso de Araujo Duarte | - |
Descrição: dc.description | Dissertação (mestrado) - Universidade Federal do Paraná, Setor de Ciências Exatas, Programa de Pós-Graduação em Física. Defesa: Curitiba, 28/02/2012 | - |
Descrição: dc.description | Inclui referências | - |
Descrição: dc.description | Resumo: No presente trabalho investigamos as propriedades estruturais, ópticas e elétricas de algumas ligas amorfas do sistema In-Se. As investigações foram realizadas tanto no material na sua forma em pó sintetizada por moagem mecânica, quanto em pastilhas e filmes - estes dois últimos obtidos do pó respectivamente por prensagem e evaporação sobre substratos de vidro e Si. As propriedades estruturais foram investigadas pelas técnicas de difração de raios X, espectroscopia Raman e perfilometria. Elas revelaram estrutura amorfa da liga nas formas de pó, pastilha e filme para as estequiometrias consideradas. Também foram obtidas imagens das amostras por meio de medidas MEV (Microscopia Eletrônica de Varredura), e feito um estudo da composição química por medidas de EDS (Energy Dispersive Spectrometry, espectroscopia de dispersão em energia). Para o estudo das propriedades ópticas realizamos medidas de absorbância, refletância e transmitância. Tais medidas possibilitaram a determinação do gap ótico, para o que foi utilizado o modelo de Tauc, apropriado para materias amorfos. As medidas ópticas levam a classificar o material com semicondutor, também nas três formas. As propriedades elétricas foram investigadas apenas nos filmes. Dada a elevada resistividade do material, as medidas elétricas foram efetuadas em amostras na arquiterura vertical. Foram traçadas curvas IxV (corrente versus tensão) em várias temperaturas, sendo determinada a dependência da resistividade da amostra com respeito à temperatura na faixa de 5 K até 400 K. Observamos comportamento ohmico para a amostra em forma de filme em várias temperaturas. Também calculamos a resistividade do material e encontramos um valor muito elevado. | - |
Descrição: dc.description | Abstract: This work reports on the structural, optical and electrical properties of some amorphous alloys of the system In-Se. The investigations were carried out in powder form as synthesized by mechanical alloy milling, and also in pellet - obtained by compression of the powder - and films - obtained by evaporation of the powder on glass and Si substrates. The structural properties were investigated by X-ray diffraction, Raman spectroscopy, profilometry, scanning electron microscopy (SEM), and energy dispersive spectrometry (EDS). Structural investigations revealed the amorphous character of the alloy in all the three forms studied - powder, pellet, film. Optical properties were studied by absorbance, reflectance and transmittance, with which we could determine the optical band gap of the material employing the Tauc model for amorphous materials. The optical measurements indicate the material as a semiconductor. Electrical measurements were carried out only on the films, and revealed a high resistivity. Due to this high resistive character, the electrical measurements were carried out only on samples in the vertical architecture. Current-voltage (IxV) curves were performed at various temperatures, and the temperature dependence of the resistivity was obtained on the range from 5 K to 400 K. | - |
Formato: dc.format | 60f. : il. | - |
Formato: dc.format | application/pdf | - |
Formato: dc.format | application/pdf | - |
Relação: dc.relation | Disponível em formato digital | - |
Palavras-chave: dc.subject | Substancias amorfas | - |
Palavras-chave: dc.subject | Cristalografia | - |
Palavras-chave: dc.subject | Semicondutores - Propriedades ópticas | - |
Palavras-chave: dc.subject | Física | - |
Título: dc.title | Caracterização de ligas amorfas do sistema In-Se : pó, pastilha e filme | - |
Tipo de arquivo: dc.type | livro digital | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Rede Paraná Acervo |
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