O formalismo de Redfield aplicado à interface Corante/Semicondutor

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Autor(es): dc.contributorFreire, José Arruda de Oliveira, 1967--
Autor(es): dc.contributorUniversidade Federal do Paraná. Setor de Ciências Exatas. Programa de Pós-Graduação em Física-
Autor(es): dc.creatorTromer, Raphael Matozo-
Data de aceite: dc.date.accessioned2025-09-01T10:36:47Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2025-09-01T10:36:47Z-
Data de envio: dc.date.issued2025-01-22-
Data de envio: dc.date.issued2025-01-22-
Data de envio: dc.date.issued2010-
Fonte completa do material: dc.identifierhttps://hdl.handle.net/1884/23811-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/1884/23811-
Descrição: dc.descriptionOrientador: Prof. Dr. José Arruda de Oliveira Freire-
Descrição: dc.descriptionDissertação (mestrado) - Universidade Federal do Paraná, Setor de Ciências Exatas, Programa de Pós-Graduação em Física. Defesa: Curitiba, 26/02/2010-
Descrição: dc.descriptionBibliografia: fls. 45-46-
Descrição: dc.descriptionResumo: Neste trabalho propomos um modelo simplificado de orbitais atômicos para representar a interface corante/TiO2 de uma célula de Grätzel, com o propósito de ilustrarmos o formalismo de Redfield que inclui um termo associado à recombinação eletrônica na dinâmica quântica. Mostramos que este termo é algumas ordens de grandeza menor que o termo associado à dinâmica quântica. Para que os efeitos da recombinação fossem visíveis, ajustamos (mesmo considerando valores não-físicos) o que chamamos de constante de Redfield para que as dinâmicas quântica e da recombinação pudessem ocorrer na mesma escala de tempo. Fizemos várias análises do processo de transferência de carga na interface corante/TiO2, e desta forma conseguimos explicar, usando o formalismo de Redfield, alguns fenômenos associados à recombinação.-
Descrição: dc.descriptionAbstract; In this work we propose a simplified model of atomic orbitals to represent the interface dye/TiO2 of a Grätzel cell, in order to illustrate the a Redfield formalism that includes a term associated with electronic recombination in quantum dynamics. We show that this term is several orders of magnitude smaller than the term associated with the quantum dynamics. For the effects of recombination to be visible, we adjusted (even considering values without physical meaning) what we call the Redfield constant for quantum dynamics and recombination could be comparable. We made several analysis of the charge transfer process at the interface dye/TiO2, and thus we can explain using the Redfield formalism some phenomena associated with recombination.-
Formato: dc.format46f. : il. , grafs.-
Formato: dc.formatapplication/pdf-
Formato: dc.formatapplication/pdf-
Relação: dc.relationDisponível em formato digital-
Palavras-chave: dc.subjectEletrodinamica quantica-
Palavras-chave: dc.subjectSemicondutores-
Palavras-chave: dc.subjectOrbitais atomicos-
Palavras-chave: dc.subjectFísica-
Título: dc.titleO formalismo de Redfield aplicado à interface Corante/Semicondutor-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
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