O formalismo de Redfield aplicado à interface Corante/Semicondutor

Registro completo de metadados
MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.contributorFreire, Jose Arruda de Oliveira-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Federal do Paraná. Setor de Ciencias Exatas. Programa de Pós-Graduaçao em Física-
Autor(es): dc.creatorTromer, Raphael Matozo-
Data de aceite: dc.date.accessioned2019-08-22T00:23:55Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2019-08-22T00:23:55Z-
Data de envio: dc.date.issued2010-05-31-
Data de envio: dc.date.issued2010-05-31-
Data de envio: dc.date.issued2010-05-31-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/1884/23811-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/1884/23811-
Descrição: dc.descriptionResumo: Neste trabalho propomos um modelo simplificado de orbitais atômicos para representar a interface corante/TiO2 de uma célula de Grätzel, com o propósito de ilustrarmos o formalismo de Redfield que inclui um termo associado à recombinação eletrônica na dinâmica quântica. Mostramos que este termo é algumas ordens de grandeza menor que o termo associado à dinâmica quântica. Para que os efeitos da recombinação fossem visíveis, ajustamos (mesmo considerando valores não-físicos) o que chamamos de constante de Redfield para que as dinâmicas quântica e da recombinação pudessem ocorrer na mesma escala de tempo. Fizemos várias análises do processo de transferência de carga na interface corante/TiO2, e desta forma conseguimos explicar, usando o formalismo de Redfield, alguns fenômenos associados à recombinação.-
Formato: dc.formatapplication/pdf-
Formato: dc.formatapplication/pdf-
Palavras-chave: dc.subjectTeses-
Título: dc.titleO formalismo de Redfield aplicado à interface Corante/Semicondutor-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
Aparece nas coleções:Repositório Institucional - Rede Paraná Acervo

Não existem arquivos associados a este item.