Tuning the electronic properties of the SiC graphenylene by transition metal (Fe, Mn and Co) doping

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MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (UNESP)-
Autor(es): dc.contributorFederal Institute of Maranhão – IFMA-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Federal de Pelotas-
Autor(es): dc.creatorMartins, Nicolas F.-
Autor(es): dc.creatorLaranjeira, Jose A.-
Autor(es): dc.creatorde Azevedo, Sergio A.-
Autor(es): dc.creatorFabris, Guilherme S.L.-
Autor(es): dc.creatorSambrano, Julio R.-
Data de aceite: dc.date.accessioned2025-08-21T22:29:14Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2025-08-21T22:29:14Z-
Data de envio: dc.date.issued2025-04-29-
Data de envio: dc.date.issued2024-10-15-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2024.416369-
Fonte completa do material: dc.identifierhttps://hdl.handle.net/11449/309944-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/309944-
Descrição: dc.descriptionThis paper approaches the effect of the transition metal (TM) (Fe, Mn and Co) doping on the stability and the electronic properties of the SiC-based graphenylene (IGP-SiC). All TM dopants were shown to be more favorable at the Si site. The TM-doped IGP-SiC structures exhibit negative cohesive energies and remain in their shapes after ab-initio molecular dynamics simulations (300K), indicating both energetic and thermal stability, respectively. The band gap of IGP-SiC, 3.15 eV, is significantly affected by the TM doping, achieving energies of 1.27, 2.58 and 1.23 eV for Fe, Mn and Co, respectively, for the spin alpha channel. The substitutional doping enhances the surface reactivity, since the work function changes from 5.83 eV (IGP-SiC) to 5.44 (Fe), 5.39 (Mn) and 5.33 eV (Co). Our findings report that TM doping is an effective strategy to modulate the electronic properties of IGP-SiC, leading to a promising use in spintronics and optoelectronics.-
Descrição: dc.descriptionConselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)-
Descrição: dc.descriptionFundação de Amparo à Pesquisa do Estado do Rio Grande do Sul-
Descrição: dc.descriptionFundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)-
Descrição: dc.descriptionModeling and Molecular Simulation Group São Paulo State University, SP-
Descrição: dc.descriptionFederal Institute of Maranhão – IFMA, MA-
Descrição: dc.descriptionGraduate Program in Materials Science and Engineering Technological Development Center Universidade Federal de Pelotas, RS-
Descrição: dc.descriptionModeling and Molecular Simulation Group São Paulo State University, SP-
Idioma: dc.languageen-
Relação: dc.relationPhysica B: Condensed Matter-
???dc.source???: dc.sourceScopus-
Palavras-chave: dc.subjectBiphenylene-
Palavras-chave: dc.subjectDoping-
Palavras-chave: dc.subjectGraphenylene-
Palavras-chave: dc.subjectSiC-
Palavras-chave: dc.subjectTransition metal-
Título: dc.titleTuning the electronic properties of the SiC graphenylene by transition metal (Fe, Mn and Co) doping-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
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