Effect of multiple conductions on basic parameters in linear and saturation regions for a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K

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MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.contributorUniversidade de São Paulo (USP)-
Autor(es): dc.contributorImec-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (UNESP)-
Autor(es): dc.creatorPerina, Welder F.-
Autor(es): dc.creatorMartino, Joao A.-
Autor(es): dc.creatorSimoen, Eddy-
Autor(es): dc.creatorPeralagu, Uthayasankaran-
Autor(es): dc.creatorCollaert, Nadine-
Autor(es): dc.creatorAgopian, Paula G. D.-
Data de aceite: dc.date.accessioned2025-08-21T22:42:53Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2025-08-21T22:42:53Z-
Data de envio: dc.date.issued2025-04-29-
Data de envio: dc.date.issued2023-12-31-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.29292/jics.v19i2.812-
Fonte completa do material: dc.identifierhttps://hdl.handle.net/11449/309785-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/309785-
Descrição: dc.descriptionIn this work, the effect of multiple conductions on the basic parameters in linear and saturation regions of a GaN based Metal-Insulator-Semiconductor High Electron Mobility Transistor (MIS-HEMT), when operating in a temperature range from 450 K down to 200 K, is evaluated experimentally. The threshold voltage behavior suggests that the HEMT conduction is dominating the device for low temperatures, while the MOS conduction is the dominant one for high temperatures. It is also shown that the presence of a high gate leakage current is degrading the switching efficiency and the ION/IOFF ratio of the device. The device presents a minimum Drain Induced Barrier Lowering (DIBL) of 27 mV/V (at 300 K) and the maximum of 62 mV/V (at 450 K).-
Descrição: dc.descriptionCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)-
Descrição: dc.descriptionConselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)-
Descrição: dc.descriptionFundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)-
Descrição: dc.descriptionLSI/PSI/USP University of Sao Paulo-
Descrição: dc.descriptionImec, Kapeldreef 75-
Descrição: dc.descriptionUNESP Sao Paulo States University-
Descrição: dc.descriptionUNESP Sao Paulo States University-
Descrição: dc.descriptionCAPES: 2020/04867-2-
Descrição: dc.descriptionCNPq: 2020/04867-2-
Descrição: dc.descriptionFAPESP: 2020/04867-2-
Idioma: dc.languageen-
Relação: dc.relationJournal of Integrated Circuits and Systems-
???dc.source???: dc.sourceScopus-
Palavras-chave: dc.subjectbasic parameters-
Palavras-chave: dc.subjectGaN-
Palavras-chave: dc.subjectheterostructure-
Palavras-chave: dc.subjectlinear-
Palavras-chave: dc.subjectMIS-HEMT-
Palavras-chave: dc.subjectsaturation-
Palavras-chave: dc.subjecttemperature-
Palavras-chave: dc.subjectthreshold voltage-
Título: dc.titleEffect of multiple conductions on basic parameters in linear and saturation regions for a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
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