Lateral PIN Photodiode with Germanium and Silicon Layer on SOI Wafers

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MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (UNESP)-
Autor(es): dc.contributorCentro Universitário FEI-
Autor(es): dc.contributorImec Leuven-
Autor(es): dc.contributorGhent University-
Autor(es): dc.creatorSilva, Fábio A.-
Autor(es): dc.creatorDoria, Rodrigo T.-
Autor(es): dc.creatorSimoen, E.-
Autor(es): dc.creatorAndrade, M. G.C.-
Data de aceite: dc.date.accessioned2025-08-21T21:53:47Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2025-08-21T21:53:47Z-
Data de envio: dc.date.issued2025-04-29-
Data de envio: dc.date.issued2023-09-27-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.29292/jics.v18i2.746-
Fonte completa do material: dc.identifierhttps://hdl.handle.net/11449/308942-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/308942-
Descrição: dc.descriptionIt has been verified through numerical simulations calibrated to experimental data the changes that the insertion of a germanium layer can bring to the electrical power generation of a silicon solar cell. The insertion of a germanium layer on top or below a silicon PIN diode designed in SOI technology has been considered. Results showed that different semiconductor characteristics (bandgap, mobility, and absorption coefficients) result in a general improvement in the solar cell performance, being able to reach a power 136% greater than the device without the heterogeneous layer. In the evaluated device the average power was improved from 9.43 nW to 14.92 nW with the Ge layer insertion. Besides that, the analysis has allowed for a better understanding of the phenomena that occur in the photogeneration of a cell with a heterojunction between germanium and silicon.-
Descrição: dc.descriptionCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)-
Descrição: dc.descriptionFundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)-
Descrição: dc.descriptionConselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)-
Descrição: dc.descriptionSão Paulo State University (Unesp) Institute of Science and Technology-
Descrição: dc.descriptionCentro Universitário FEI-
Descrição: dc.descriptionImec Leuven-
Descrição: dc.descriptionGhent University, Sint-Pietersnieuwstraat 25-
Descrição: dc.descriptionSão Paulo State University (Unesp) Institute of Science and Technology-
Descrição: dc.descriptionFAPESP: 2023/00123-7-
Descrição: dc.descriptionCNPq: 303938/2020-0-
Idioma: dc.languageen-
Relação: dc.relationJournal of Integrated Circuits and Systems-
???dc.source???: dc.sourceScopus-
Palavras-chave: dc.subjectGermanium-
Palavras-chave: dc.subjectHeterojunction-
Palavras-chave: dc.subjectPIN Diodes-
Palavras-chave: dc.subjectSOI-
Palavras-chave: dc.subjectSolar cells-
Título: dc.titleLateral PIN Photodiode with Germanium and Silicon Layer on SOI Wafers-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
Aparece nas coleções:Repositório Institucional - Unesp

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