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Metadados | Descrição | Idioma |
---|---|---|
Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (UNESP) | - |
Autor(es): dc.contributor | Centro Universitário FEI | - |
Autor(es): dc.contributor | Imec Leuven | - |
Autor(es): dc.contributor | Ghent University | - |
Autor(es): dc.creator | Silva, Fábio A. | - |
Autor(es): dc.creator | Doria, Rodrigo T. | - |
Autor(es): dc.creator | Simoen, E. | - |
Autor(es): dc.creator | Andrade, M. G.C. | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2025-08-21T21:53:47Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2025-08-21T21:53:47Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2025-04-29 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2023-09-27 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://dx.doi.org/10.29292/jics.v18i2.746 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | https://hdl.handle.net/11449/308942 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/308942 | - |
Descrição: dc.description | It has been verified through numerical simulations calibrated to experimental data the changes that the insertion of a germanium layer can bring to the electrical power generation of a silicon solar cell. The insertion of a germanium layer on top or below a silicon PIN diode designed in SOI technology has been considered. Results showed that different semiconductor characteristics (bandgap, mobility, and absorption coefficients) result in a general improvement in the solar cell performance, being able to reach a power 136% greater than the device without the heterogeneous layer. In the evaluated device the average power was improved from 9.43 nW to 14.92 nW with the Ge layer insertion. Besides that, the analysis has allowed for a better understanding of the phenomena that occur in the photogeneration of a cell with a heterojunction between germanium and silicon. | - |
Descrição: dc.description | Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) | - |
Descrição: dc.description | Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) | - |
Descrição: dc.description | Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) | - |
Descrição: dc.description | São Paulo State University (Unesp) Institute of Science and Technology | - |
Descrição: dc.description | Centro Universitário FEI | - |
Descrição: dc.description | Imec Leuven | - |
Descrição: dc.description | Ghent University, Sint-Pietersnieuwstraat 25 | - |
Descrição: dc.description | São Paulo State University (Unesp) Institute of Science and Technology | - |
Descrição: dc.description | FAPESP: 2023/00123-7 | - |
Descrição: dc.description | CNPq: 303938/2020-0 | - |
Idioma: dc.language | en | - |
Relação: dc.relation | Journal of Integrated Circuits and Systems | - |
???dc.source???: dc.source | Scopus | - |
Palavras-chave: dc.subject | Germanium | - |
Palavras-chave: dc.subject | Heterojunction | - |
Palavras-chave: dc.subject | PIN Diodes | - |
Palavras-chave: dc.subject | SOI | - |
Palavras-chave: dc.subject | Solar cells | - |
Título: dc.title | Lateral PIN Photodiode with Germanium and Silicon Layer on SOI Wafers | - |
Tipo de arquivo: dc.type | livro digital | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp |
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