Electrical parameters and low-frequency noise of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors with different channel orientation

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Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (UNESP)-
Autor(es): dc.contributorElectrical Engineering Department-
Autor(es): dc.contributorSchool of Science and Technology-
Autor(es): dc.contributorGhent University-
Autor(es): dc.contributorimec-
Autor(es): dc.creatorde Andrade, Maria Glória Caño-
Autor(es): dc.creatorNogueira, Carlos Roberto-
Autor(es): dc.creatorJúnior, Nilton Graciano-
Autor(es): dc.creatorDoria, Rodrigo T.-
Autor(es): dc.creatorTrevisoli, Renan-
Autor(es): dc.creatorSimoen, Eddy-
Data de aceite: dc.date.accessioned2025-08-21T22:30:08Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2025-08-21T22:30:08Z-
Data de envio: dc.date.issued2025-04-29-
Data de envio: dc.date.issued2023-12-31-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2023.108807-
Fonte completa do material: dc.identifierhttps://hdl.handle.net/11449/307671-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/307671-
Descrição: dc.descriptionThe performance of AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors (HEMTs) fabricated on 〈1 1 1〉 silicon substrates has been experimentally investigated, aiming to verify the effect of different channel orientations on the main electrical parameters, such as drain current (ID), threshold voltage, transconductance (gm), and Drain-Induced Barrier Lowering (DIBL). Moreover, the noise Power Spectral Density (PSD) with different channel orientations has also been characterized in linear operation. No noticeable differences on the electrical and noise PSD characteristics have been observed between the GaN channel orientations (0°, 90° and 45°).-
Descrição: dc.descriptionSão Paulo State University (UNESP) Institute of Science and Technology, Av. 3 de Março, n. 511-
Descrição: dc.descriptionCentro Universitário FEI Electrical Engineering Department, Av. Humberto de Alencar Castelo Branco, 3972-
Descrição: dc.descriptionPontifícia Universidade Católica de São Paulo PUC-SP School of Science and Technology, Rua Marquês de Paranaguá, 111-
Descrição: dc.descriptionGhent University, Sint-Pietersnieuwstraat 25, Ost-Flandern-
Descrição: dc.descriptionimec, Kapeldreef 75-
Descrição: dc.descriptionSão Paulo State University (UNESP) Institute of Science and Technology, Av. 3 de Março, n. 511-
Idioma: dc.languageen-
Relação: dc.relationSolid-State Electronics-
???dc.source???: dc.sourceScopus-
Palavras-chave: dc.subjectChannel orientations-
Palavras-chave: dc.subjectElectrical parameters-
Palavras-chave: dc.subjectGaN/AlGaN HEMT-
Palavras-chave: dc.subjectLow-frequency noise-
Título: dc.titleElectrical parameters and low-frequency noise of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors with different channel orientation-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
Aparece nas coleções:Repositório Institucional - Unesp

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