Parameter extraction using the transfer characteristics of vertically stacked Si nanosheet MOSFETs

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MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.contributorUniversidad Simón Bolívar-
Autor(es): dc.contributorUniversidade de São Paulo (USP)-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (UNESP)-
Autor(es): dc.contributorimec-
Autor(es): dc.contributorUniversiteit Gent-
Autor(es): dc.creatorOrtiz-Conde, Adelmo-
Autor(es): dc.creatorSilva, Vanessa C. P.-
Autor(es): dc.creatorVeloso, Anabela-
Autor(es): dc.creatorAgopian, Paula G. D.-
Autor(es): dc.creatorSimoen, Eddy-
Autor(es): dc.creatorMartino, Joao A.-
Autor(es): dc.creatorGarcía-Sánchez, Francisco J.-
Data de aceite: dc.date.accessioned2025-08-21T19:49:07Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2025-08-21T19:49:07Z-
Data de envio: dc.date.issued2025-04-29-
Data de envio: dc.date.issued2024-03-15-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.29292/jics.v19i1.801-
Fonte completa do material: dc.identifierhttps://hdl.handle.net/11449/304868-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/304868-
Descrição: dc.descriptionWe present a critical assessment and discussion of the presence of parasitic source-and-drain series resistance and normal electric field-dependent mobility degradation in un-doped Si nanosheet MOSFETs. A simple explicit Lambert W function-based closed-form model, continuously valid from sub-threshold to strong conduction, was used to clearly describe the transfer characteristics. The model was applied to experimental vertically stacked GAA undoped Si nanosheet MOSFETs using phenomenon-related model parameter values extracted from measured data through suitable numerical optimization procedures. The conducted analysis reveals and ex-plains how these two effects produce analogous deleterious con-sequences on these devices’ transfer characteristics.-
Descrição: dc.descriptionDepartment of Electronics and Circuits Universidad Simón Bolívar-
Descrição: dc.descriptionLSI/PSI/USP Universidade de São Paulo, SP-
Descrição: dc.descriptionDepartment of Electronic and Telecom. Eng Universidade Estadual Paulista-
Descrição: dc.descriptionimec-
Descrição: dc.descriptionDepartment of Solid-State Physics Universiteit Gent-
Descrição: dc.descriptionDepartment of Electronic and Telecom. Eng Universidade Estadual Paulista-
Idioma: dc.languageen-
Relação: dc.relationJournal of Integrated Circuits and Systems-
???dc.source???: dc.sourceScopus-
Palavras-chave: dc.subjectLambert W function-
Palavras-chave: dc.subjectmobility degradation-
Palavras-chave: dc.subjectnanosheet FETs MOSFETs-
Palavras-chave: dc.subjectparasitic series resistance-
Título: dc.titleParameter extraction using the transfer characteristics of vertically stacked Si nanosheet MOSFETs-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
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