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Metadados | Descrição | Idioma |
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Autor(es): dc.contributor | Universidad Simón Bolívar | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade de São Paulo (USP) | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (UNESP) | - |
Autor(es): dc.contributor | imec | - |
Autor(es): dc.contributor | Universiteit Gent | - |
Autor(es): dc.creator | Ortiz-Conde, Adelmo | - |
Autor(es): dc.creator | Silva, Vanessa C. P. | - |
Autor(es): dc.creator | Veloso, Anabela | - |
Autor(es): dc.creator | Agopian, Paula G. D. | - |
Autor(es): dc.creator | Simoen, Eddy | - |
Autor(es): dc.creator | Martino, Joao A. | - |
Autor(es): dc.creator | García-Sánchez, Francisco J. | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2025-08-21T19:49:07Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2025-08-21T19:49:07Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2025-04-29 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2024-03-15 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://dx.doi.org/10.29292/jics.v19i1.801 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | https://hdl.handle.net/11449/304868 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/304868 | - |
Descrição: dc.description | We present a critical assessment and discussion of the presence of parasitic source-and-drain series resistance and normal electric field-dependent mobility degradation in un-doped Si nanosheet MOSFETs. A simple explicit Lambert W function-based closed-form model, continuously valid from sub-threshold to strong conduction, was used to clearly describe the transfer characteristics. The model was applied to experimental vertically stacked GAA undoped Si nanosheet MOSFETs using phenomenon-related model parameter values extracted from measured data through suitable numerical optimization procedures. The conducted analysis reveals and ex-plains how these two effects produce analogous deleterious con-sequences on these devices’ transfer characteristics. | - |
Descrição: dc.description | Department of Electronics and Circuits Universidad Simón Bolívar | - |
Descrição: dc.description | LSI/PSI/USP Universidade de São Paulo, SP | - |
Descrição: dc.description | Department of Electronic and Telecom. Eng Universidade Estadual Paulista | - |
Descrição: dc.description | imec | - |
Descrição: dc.description | Department of Solid-State Physics Universiteit Gent | - |
Descrição: dc.description | Department of Electronic and Telecom. Eng Universidade Estadual Paulista | - |
Idioma: dc.language | en | - |
Relação: dc.relation | Journal of Integrated Circuits and Systems | - |
???dc.source???: dc.source | Scopus | - |
Palavras-chave: dc.subject | Lambert W function | - |
Palavras-chave: dc.subject | mobility degradation | - |
Palavras-chave: dc.subject | nanosheet FETs MOSFETs | - |
Palavras-chave: dc.subject | parasitic series resistance | - |
Título: dc.title | Parameter extraction using the transfer characteristics of vertically stacked Si nanosheet MOSFETs | - |
Tipo de arquivo: dc.type | livro digital | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp |
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