Analog behavior of V-FET operating in forward and reverse mode

Registro completo de metadados
MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (UNESP)-
Autor(es): dc.contributorUniversidade de São Paulo (USP)-
Autor(es): dc.contributorimec-
Autor(es): dc.creatorSilva, V. C.P.-
Autor(es): dc.creatorRibeiro, A. R.-
Autor(es): dc.creatorMartino, J. A.-
Autor(es): dc.creatorVeloso, A.-
Autor(es): dc.creatorHoriguchi, N.-
Autor(es): dc.creatorAgopian, P. G.D.-
Data de aceite: dc.date.accessioned2025-08-21T23:21:31Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2025-08-21T23:21:31Z-
Data de envio: dc.date.issued2025-04-29-
Data de envio: dc.date.issued2025-04-01-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2025.109073-
Fonte completa do material: dc.identifierhttps://hdl.handle.net/11449/304811-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/304811-
Descrição: dc.descriptionThis work investigates the analog parameters of p-type Vertical Field-Effect Nanowire Transistors (V-FETs) built on a Silicon-On-Insulator (SOI) wafer, focusing on variations in channel (nanowire) diameter (CD) and two different operational modes: forward (source as the bottom electrode) and reverse (source as the top electrode). When CD decreases from 40 to 20 nm in forward mode, the subthreshold swing (SS) improves from 93 to 76 mV/dec, the Drain-Induced Barrier Lowering (DIBL) also improves from 138 to 43 mV/V and the intrinsic voltage gain (AV) increases from 19 to 34 dB. The reduction in CD enhances electrostatic control of the gate over the channel, leading to improved transistor characteristics. A significant impact of the access resistance at the top electrode is observed in forward mode. While forward mode presents an improvement in DIBL, VEA and AV, in the reverse mode shows better gmsat, SSsat and fT. Additionally, the trade-off analysis between intrinsic voltage gain and unity gain frequency (fT) resulted in an optimal point at strong version for the inversion coefficient (IC) = 63, AV = 28 dB and fT = 2.6 GHz in forward mode, and for IC = 34, AV = 20 dB and fT = 3.7 GHz in reverse mode.-
Descrição: dc.descriptionCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)-
Descrição: dc.descriptionConselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)-
Descrição: dc.descriptionFundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)-
Descrição: dc.descriptionUNESP Sao Paulo State University, Sao Joao da Boa Vist, a-
Descrição: dc.descriptionLSI/PSI/USP University of Sao Paulo-
Descrição: dc.descriptionimec-
Descrição: dc.descriptionUNESP Sao Paulo State University, Sao Joao da Boa Vist, a-
Idioma: dc.languageen-
Relação: dc.relationSolid-State Electronics-
???dc.source???: dc.sourceScopus-
Palavras-chave: dc.subjectAnalog parameters-
Palavras-chave: dc.subjectSOI-
Palavras-chave: dc.subjectVertical Nanowire-
Palavras-chave: dc.subjectVFET-
Título: dc.titleAnalog behavior of V-FET operating in forward and reverse mode-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
Aparece nas coleções:Repositório Institucional - Unesp

Não existem arquivos associados a este item.