A novel and promising Penta-Octa-Based silicon carbide semiconductor

Registro completo de metadados
MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (UNESP)-
Autor(es): dc.contributorUDELAR-
Autor(es): dc.creatorA. S. Laranjeira, José-
Autor(es): dc.creatorMartins, Nicolas F.-
Autor(es): dc.creatorDenis, Pablo A.-
Autor(es): dc.creatorSambrano, Julio R.-
Data de aceite: dc.date.accessioned2025-08-21T19:00:19Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2025-08-21T19:00:19Z-
Data de envio: dc.date.issued2025-04-29-
Data de envio: dc.date.issued2024-07-01-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1016/j.flatc.2024.100691-
Fonte completa do material: dc.identifierhttps://hdl.handle.net/11449/302640-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/302640-
Descrição: dc.descriptionPenta-octa-graphene (POG) consists of pentagonal and octagonal carbon rings, hosting type-I and type-II Dirac line nodes due to its sp2 and sp3 mixed bonds. Inorganic analogs of 2D carbon lattices have increased the potential applications and changed the main properties of carbon-based structures. Therefore, this work proposes penta-octa-graphene based on silicon carbide using DFT simulations. With a cohesive energy of −5.22 eV/atom, POG-Si5C4 is energetically viable in comparison with other silicon carbide-based monolayers. Phonon dispersion analysis confirms the POG-Si5C4 dynamical stability. MD simulations demonstrate that this new monolayer can withstand temperatures up to 1020 K. Electronic analysis indicates it is a semiconductor with an indirect band gap transition of 2.02 eV. The mechanical properties exhibit anisotropy, with Young's modulus ranging from 38.65 to 99.47 N/m and an unusual negative Poisson's ratio of −0.09. The band edge alignment suggests that POG-Si5C4 holds potential for hydrogen generation through photocatalytic water splitting. This research opens possibilities for designing inorganic penta-octa-based structures and provides insights for future experimental and theoretical studies focused on exploring and optimizing advanced silicon-carbide 2D materials.-
Descrição: dc.descriptionAgencia Nacional de Investigación e Innovación-
Descrição: dc.descriptionFundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)-
Descrição: dc.descriptionConselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)-
Descrição: dc.descriptionCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)-
Descrição: dc.descriptionModeling and Molecular Simulation Group São Paulo State University (UNESP) School of Sciences, SP-
Descrição: dc.descriptionComputational Nanotechnology DETEMA Facultad de Química UDELAR, CC-
Descrição: dc.descriptionModeling and Molecular Simulation Group São Paulo State University (UNESP) School of Sciences, SP-
Descrição: dc.descriptionFAPESP: 20/01144-0-
Descrição: dc.descriptionFAPESP: 22/00349-2-
Descrição: dc.descriptionFAPESP: 22/03959-6-
Descrição: dc.descriptionFAPESP: 22/14576-0-
Descrição: dc.descriptionFAPESP: 22/16509-9-
Descrição: dc.descriptionCNPq: 307213/2021–8-
Descrição: dc.descriptionCAPES: 827928/2023-00-
Idioma: dc.languageen-
Relação: dc.relationFlatChem-
???dc.source???: dc.sourceScopus-
Palavras-chave: dc.subject2D materials-
Palavras-chave: dc.subjectAuxetic-
Palavras-chave: dc.subjectPenta-octa-graphene-
Palavras-chave: dc.subjectPOG-Si5C4-
Palavras-chave: dc.subjectSilicon carbide-
Título: dc.titleA novel and promising Penta-Octa-Based silicon carbide semiconductor-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
Aparece nas coleções:Repositório Institucional - Unesp

Não existem arquivos associados a este item.