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| Metadados | Descrição | Idioma |
|---|---|---|
| Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (UNESP) | - |
| Autor(es): dc.creator | Vieira, Douglas Henrique | - |
| Autor(es): dc.creator | Nogueira, Gabriel Leonardo | - |
| Autor(es): dc.creator | Nascimento, Mayk Rodrigues | - |
| Autor(es): dc.creator | Fugikawa-Santos, Lucas | - |
| Autor(es): dc.creator | Alves, Neri | - |
| Data de aceite: dc.date.accessioned | 2025-08-21T20:14:22Z | - |
| Data de disponibilização: dc.date.available | 2025-08-21T20:14:22Z | - |
| Data de envio: dc.date.issued | 2025-04-29 | - |
| Data de envio: dc.date.issued | 2023-09-01 | - |
| Fonte completa do material: dc.identifier | http://dx.doi.org/10.1016/j.cap.2023.06.012 | - |
| Fonte completa do material: dc.identifier | https://hdl.handle.net/11449/301073 | - |
| Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/301073 | - |
| Descrição: dc.description | Charge-trap memory phenomena were demonstrated in an electrolyte-gated transistor (EGT) using a spray-coated zinc oxide (ZnO) active layer and a cellulose-based electrolyte. The EGT exhibited efficient programming and erasing characteristics at low voltages, shifting the threshold voltage and the magnitude of the on-current. This behavior is discussed in terms of the influence of charged trapping states at the ZnO/electrolyte interface and within the ZnO bulk. The presence of these traps leads to a shift in the mobility from 0.57 ± 0.16 cm2 V−1 s−1 in the initial state to 0.02 ± 0.01 cm2 V−1 s−1 when programmed. Retention experiments revealed improved stability of the memory state when a low positive voltage is applied to the gate, indicating that the device's characteristics are extremely sensitive to the trapping/detrapping of charges at the semiconductor/electrolyte interface. Capacitance spectroscopy measurements using planar and metal-insulator-semiconductor configurations within the same device were used to analyze the charging dynamics of the trap states at different programming states. | - |
| Descrição: dc.description | Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) | - |
| Descrição: dc.description | Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) | - |
| Descrição: dc.description | Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia em Eletrônica Orgânica | - |
| Descrição: dc.description | Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) | - |
| Descrição: dc.description | São Paulo State University – UNESP Physics Department, SP | - |
| Descrição: dc.description | São Paulo State University – UNESP Institute of Geosciences and Exact Sciences (IGCE) Physics Department, SP | - |
| Descrição: dc.description | São Paulo State University – UNESP Physics Department, SP | - |
| Descrição: dc.description | São Paulo State University – UNESP Institute of Geosciences and Exact Sciences (IGCE) Physics Department, SP | - |
| Descrição: dc.description | FAPESP: 2019/08019-9 | - |
| Descrição: dc.description | FAPESP: 2020/12282-4 | - |
| Formato: dc.format | 118-125 | - |
| Idioma: dc.language | en | - |
| Relação: dc.relation | Current Applied Physics | - |
| ???dc.source???: dc.source | Scopus | - |
| Palavras-chave: dc.subject | Charge-trap memory | - |
| Palavras-chave: dc.subject | Low voltage | - |
| Palavras-chave: dc.subject | Spray-coating | - |
| Palavras-chave: dc.subject | Transistor | - |
| Título: dc.title | Charge-trap memory effect in spray deposited ZnO-based electrolyte-gated transistors operating at low voltage | - |
| Tipo de arquivo: dc.type | livro digital | - |
| Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp | |
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