Charge-trap memory effect in spray deposited ZnO-based electrolyte-gated transistors operating at low voltage

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MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (UNESP)-
Autor(es): dc.creatorVieira, Douglas Henrique-
Autor(es): dc.creatorNogueira, Gabriel Leonardo-
Autor(es): dc.creatorNascimento, Mayk Rodrigues-
Autor(es): dc.creatorFugikawa-Santos, Lucas-
Autor(es): dc.creatorAlves, Neri-
Data de aceite: dc.date.accessioned2025-08-21T20:14:22Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2025-08-21T20:14:22Z-
Data de envio: dc.date.issued2025-04-29-
Data de envio: dc.date.issued2023-09-01-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1016/j.cap.2023.06.012-
Fonte completa do material: dc.identifierhttps://hdl.handle.net/11449/301073-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/301073-
Descrição: dc.descriptionCharge-trap memory phenomena were demonstrated in an electrolyte-gated transistor (EGT) using a spray-coated zinc oxide (ZnO) active layer and a cellulose-based electrolyte. The EGT exhibited efficient programming and erasing characteristics at low voltages, shifting the threshold voltage and the magnitude of the on-current. This behavior is discussed in terms of the influence of charged trapping states at the ZnO/electrolyte interface and within the ZnO bulk. The presence of these traps leads to a shift in the mobility from 0.57 ± 0.16 cm2 V−1 s−1 in the initial state to 0.02 ± 0.01 cm2 V−1 s−1 when programmed. Retention experiments revealed improved stability of the memory state when a low positive voltage is applied to the gate, indicating that the device's characteristics are extremely sensitive to the trapping/detrapping of charges at the semiconductor/electrolyte interface. Capacitance spectroscopy measurements using planar and metal-insulator-semiconductor configurations within the same device were used to analyze the charging dynamics of the trap states at different programming states.-
Descrição: dc.descriptionCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)-
Descrição: dc.descriptionConselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)-
Descrição: dc.descriptionInstituto Nacional de Ciência e Tecnologia em Eletrônica Orgânica-
Descrição: dc.descriptionFundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)-
Descrição: dc.descriptionSão Paulo State University – UNESP Physics Department, SP-
Descrição: dc.descriptionSão Paulo State University – UNESP Institute of Geosciences and Exact Sciences (IGCE) Physics Department, SP-
Descrição: dc.descriptionSão Paulo State University – UNESP Physics Department, SP-
Descrição: dc.descriptionSão Paulo State University – UNESP Institute of Geosciences and Exact Sciences (IGCE) Physics Department, SP-
Descrição: dc.descriptionFAPESP: 2019/08019-9-
Descrição: dc.descriptionFAPESP: 2020/12282-4-
Formato: dc.format118-125-
Idioma: dc.languageen-
Relação: dc.relationCurrent Applied Physics-
???dc.source???: dc.sourceScopus-
Palavras-chave: dc.subjectCharge-trap memory-
Palavras-chave: dc.subjectLow voltage-
Palavras-chave: dc.subjectSpray-coating-
Palavras-chave: dc.subjectTransistor-
Título: dc.titleCharge-trap memory effect in spray deposited ZnO-based electrolyte-gated transistors operating at low voltage-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
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