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| Metadados | Descrição | Idioma |
|---|---|---|
| Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (UNESP) | - |
| Autor(es): dc.contributor | Chemnitz University of Technology | - |
| Autor(es): dc.contributor | Mackenzie Presbyterian University | - |
| Autor(es): dc.creator | Vieira, Douglas Henrique | - |
| Autor(es): dc.creator | Nogueira, Gabriel Leonardo | - |
| Autor(es): dc.creator | Merces, Leandro | - |
| Autor(es): dc.creator | Bufon, Carlos César Bof | - |
| Autor(es): dc.creator | Alves, Neri | - |
| Data de aceite: dc.date.accessioned | 2025-08-21T19:12:33Z | - |
| Data de disponibilização: dc.date.available | 2025-08-21T19:12:33Z | - |
| Data de envio: dc.date.issued | 2025-04-29 | - |
| Data de envio: dc.date.issued | 2024-06-01 | - |
| Fonte completa do material: dc.identifier | http://dx.doi.org/10.1002/aelm.202300562 | - |
| Fonte completa do material: dc.identifier | https://hdl.handle.net/11449/298675 | - |
| Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/298675 | - |
| Descrição: dc.description | Proposals for new architectures that shorten the length of the transistor channel without the need for high-end techniques are the focus of very recent breakthrough research. Although vertical and electrolyte-gate transistors are previously developed separately, recent advances have introduced electrolytes into vertical transistors, resulting in electrolyte-gated vertical field-effect transistors (EGVFETs), which feature lower power consumption and higher capacitance. Here, EGVFETs are employed to study the charge transport mechanism of spray-pyrolyzed zinc oxide (ZnO) films to develop a new photosensitive switch concept. The EGVFET's diode cell revealed a current-voltage relationship arising from space-charge-limited current (SCLC), whereas its capacitor cell provided the field-effect role in charge accumulation in the device's source perforations. The findings elucidate how the field effect causes a continuous shift in SCLC regimes, impacting the switching dynamics of the transistor. It is found ultraviolet light may mimic the field effect, i.e., a pioneering demonstration of current switching as a function of irradiance in an EGVFET. The research provides valuable insights into the charge transport characterization of spray-pyrolyzed ZnO-based transistors, paving the way for future nano- and optoelectronic applications. | - |
| Descrição: dc.description | Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) | - |
| Descrição: dc.description | Faculty of Science and Technology (FCT) Physics Department São Paulo State University—UNESP, São Paulo | - |
| Descrição: dc.description | Research Center for Materials Architectures and Integration of Nanomembranes (MAIN) Chemnitz University of Technology | - |
| Descrição: dc.description | Mackenzie Presbyterian University, São Paulo | - |
| Descrição: dc.description | Faculty of Science and Technology (FCT) Physics Department São Paulo State University—UNESP, São Paulo | - |
| Descrição: dc.description | FAPESP: 2017/02317-2 | - |
| Descrição: dc.description | FAPESP: 2018/18136-0 | - |
| Descrição: dc.description | FAPESP: 2020/12282-4 | - |
| Descrição: dc.description | FAPESP: 2022/12332-7 | - |
| Idioma: dc.language | en | - |
| Relação: dc.relation | Advanced Electronic Materials | - |
| ???dc.source???: dc.source | Scopus | - |
| Palavras-chave: dc.subject | charge transport mechanism | - |
| Palavras-chave: dc.subject | electrolyte-gated transistor | - |
| Palavras-chave: dc.subject | Schottky diode | - |
| Palavras-chave: dc.subject | spray pyrolysis | - |
| Palavras-chave: dc.subject | vertical phototransistor | - |
| Título: dc.title | Electrolyte-Gated Vertical Transistor Charge Transport Enables Photo-Switching | - |
| Tipo de arquivo: dc.type | livro digital | - |
| Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp | |
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