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| Metadados | Descrição | Idioma |
|---|---|---|
| Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (UNESP) | - |
| Autor(es): dc.contributor | Belgium Also Imec | - |
| Autor(es): dc.creator | Junior, Braz Baptista | - |
| Autor(es): dc.creator | De Andrade, Maria Gloria Cano | - |
| Autor(es): dc.creator | De Oliveira Bergamim, Luis Felipe | - |
| Autor(es): dc.creator | Nogueira, Carlos Roberto | - |
| Autor(es): dc.creator | Abud, Renan Baptista | - |
| Autor(es): dc.creator | Simoen, Eddy | - |
| Data de aceite: dc.date.accessioned | 2025-08-21T16:14:35Z | - |
| Data de disponibilização: dc.date.available | 2025-08-21T16:14:35Z | - |
| Data de envio: dc.date.issued | 2023-07-29 | - |
| Data de envio: dc.date.issued | 2023-07-29 | - |
| Data de envio: dc.date.issued | 2021-12-31 | - |
| Fonte completa do material: dc.identifier | http://dx.doi.org/10.1109/LAEDC54796.2022.9908239 | - |
| Fonte completa do material: dc.identifier | http://hdl.handle.net/11449/249337 | - |
| Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/249337 | - |
| Descrição: dc.description | In this paper, the temperature dependence of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) on silicon substrates is studied experimentally. Drain current (ID), transconductance (gm), threshold voltage (VT) and drain-induced barrier lowering (DIBL) were analyzed in the temperature range from -35°C to 200°C. In addition, gate current (IG) and subthreshold slope (SS) were also analyzed in order to understand the physical mechanisms involved. The results indicate that gate current increases with increasing temperature. Also, as the gate current (IG) increases, the drain current (ID) decreases. The characteristics of AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrates indicate that they may be a promising candidate for analog and radio frequency (RF) applications. | - |
| Descrição: dc.description | São Paulo State University (UNESP) Institute of Science and Technology, SP | - |
| Descrição: dc.description | Ghent University Ghent Belgium Also Imec | - |
| Descrição: dc.description | São Paulo State University (UNESP) Institute of Science and Technology, SP | - |
| Idioma: dc.language | en | - |
| Relação: dc.relation | 2022 IEEE Latin America Electron Devices Conference, LAEDC 2022 | - |
| ???dc.source???: dc.source | Scopus | - |
| Palavras-chave: dc.subject | AlGaN/GaN | - |
| Palavras-chave: dc.subject | gate leakage | - |
| Palavras-chave: dc.subject | HEMT | - |
| Palavras-chave: dc.subject | High-temperature | - |
| Título: dc.title | Temperature Dependence of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on 200 mm Si wafers | - |
| Tipo de arquivo: dc.type | aula digital | - |
| Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp | |
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