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| Metadados | Descrição | Idioma |
|---|---|---|
| Autor(es): dc.contributor | Universidade de São Paulo (USP) | - |
| Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (UNESP) | - |
| Autor(es): dc.creator | de Lima Silva, Wenita | - |
| Autor(es): dc.creator | do Nascimento Tolêdo, Rodrigo | - |
| Autor(es): dc.creator | Gonçalez Filho, Walter | - |
| Autor(es): dc.creator | de Moraes Nogueira, Alexandro | - |
| Autor(es): dc.creator | Ghedini Der Agopian, Paula | - |
| Autor(es): dc.creator | Antonio Martino, Joao | - |
| Data de aceite: dc.date.accessioned | 2025-08-21T15:41:59Z | - |
| Data de disponibilização: dc.date.available | 2025-08-21T15:41:59Z | - |
| Data de envio: dc.date.issued | 2023-07-29 | - |
| Data de envio: dc.date.issued | 2023-07-29 | - |
| Data de envio: dc.date.issued | 2023-04-01 | - |
| Fonte completa do material: dc.identifier | http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2023.108611 | - |
| Fonte completa do material: dc.identifier | http://hdl.handle.net/11449/246870 | - |
| Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/246870 | - |
| Descrição: dc.description | This work presents the comparison between Nanowire Tunnel Field-Effect Transistor (NW-TFET) and Line-TFET applied on the design of Low-Dropout Voltage Regulator (LDO). Both devices have a SiGe source composition in order to enhance the current drive. The transistors were modeled using lookup tables (LUTs) approach based on experimental data using Verilog-A language. The LDOs were designed for two conditions, considering different gm/ID, load currents and load capacitances. In order to compare the TFET LDOs with an established technology, a MOSFET LDO was designed with TSMC 0.18 µm process design kit. Both TFET LDOs reach stability without the presence of a compensation capacitor. For gm/ID = 10.5 V−1 the current consumption of NW-TFET LDO (1.5nA) is near two orders of magnitude lower than Line-TFET LDO (68nA) and three orders of magnitude lower than MOSFET LDO (9 µA). The Line-TFET LDO exhibits better results in almost all parameters despite of the gain-bandwidth product (GBW) that is in the same order of magnitude of the MOSFET LDO, 171 kHz compared to 250 kHz for gm/ID = 10.5 V−1. The comparison between TFET LDOs for gm/ID = 7 V−1 was also performed regarding the transient and process variability analysis. The transient response revealed that the Line-TFET LDO has a pronounced lower settling time, 71 µs compared to 5 ms for a load step, but with a damped oscillatory response, the NW-TFET LDO presented lower undershoot for the load step. The process variability analysis was performed for devices within the wafer and was observed that the Line-TFET LDO suffers a higher impact with a 20 dB variation on the loop gain in comparison to 10 dB in the NW-TFET LDO. | - |
| Descrição: dc.description | LSI/PSI/USP University of Sao Paulo | - |
| Descrição: dc.description | UNESP Sao Paulo State University | - |
| Descrição: dc.description | UNESP Sao Paulo State University | - |
| Idioma: dc.language | en | - |
| Relação: dc.relation | Solid-State Electronics | - |
| ???dc.source???: dc.source | Scopus | - |
| Palavras-chave: dc.subject | Analog circuit design | - |
| Palavras-chave: dc.subject | Line-TFET | - |
| Palavras-chave: dc.subject | Low-Dropout Voltage Regulator (LDO) | - |
| Palavras-chave: dc.subject | Nanowire | - |
| Palavras-chave: dc.subject | Process variability | - |
| Palavras-chave: dc.subject | Tunnel FET (TFET) | - |
| Título: dc.title | Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis | - |
| Tipo de arquivo: dc.type | livro digital | - |
| Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp | |
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