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Metadados | Descrição | Idioma |
---|---|---|
Autor(es): dc.contributor | Ghent University | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (UNESP) | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade de São Paulo (USP) | - |
Autor(es): dc.contributor | Federal Technological University of Parana | - |
Autor(es): dc.contributor | GREYC | - |
Autor(es): dc.contributor | Imec | - |
Autor(es): dc.creator | Simoen, Eddy | - |
Autor(es): dc.creator | Coelho, Carlos H. S. | - |
Autor(es): dc.creator | da Silva, Vanessa C. P. | - |
Autor(es): dc.creator | Martino, Joao A. | - |
Autor(es): dc.creator | Agopian, Paula G. D. | - |
Autor(es): dc.creator | Oliveira, Alberto | - |
Autor(es): dc.creator | Cretu, Bogdan | - |
Autor(es): dc.creator | Veloso, Anabela | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2025-08-21T18:14:15Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2025-08-21T18:14:15Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2023-07-29 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2023-07-29 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2022-10-18 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://dx.doi.org/10.29292/jics.v17i2.617 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://hdl.handle.net/11449/246571 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/246571 | - |
Descrição: dc.description | In this review paper, the performance characteristics of Gate-All-Around (GAA) double nanosheet (NS) MOSFETs are described over a broad temperature range, from 78 K to 473 K (200oC). Emphasis is on the analog operation, showing good potential. Besides the transistor length, the impact of the metal gate Effective Work Function and the vertical distance between the nanosheets has been studied. Among oth-ers, a clear Zero Temperature Coefficient (ZTC) gate voltage has been observed that can be modeled by considering the shift with temperature of the threshold voltage and the maximum transconductance. A trade-off has been noticed between the transistor efficiency and the unit gain frequency, whereby the optimal operation point occurs in strong inversion regime. The feasibility of designing simple analog circuits has also been demonstrated. Finally, a detailed investigation of the low-fre-quency noise behavior yields good values for the flicker noise Power Spectral Density in comparison with other technology nodes. | - |
Descrição: dc.description | Depart Solid State Sciences Ghent University | - |
Descrição: dc.description | UNESP Sao Paulo State University | - |
Descrição: dc.description | LSI/PSI/USP University of Sao Paulo | - |
Descrição: dc.description | UTFPR Federal Technological University of Parana | - |
Descrição: dc.description | UNICAEN ENSICAEN CNRS GREYC | - |
Descrição: dc.description | UPM Imec | - |
Descrição: dc.description | UNESP Sao Paulo State University | - |
Idioma: dc.language | en | - |
Relação: dc.relation | Journal of Integrated Circuits and Systems | - |
???dc.source???: dc.source | Scopus | - |
Palavras-chave: dc.subject | analog performance | - |
Palavras-chave: dc.subject | cryogenic temperatures | - |
Palavras-chave: dc.subject | GAA CMOS | - |
Palavras-chave: dc.subject | low-frequency noise | - |
Título: dc.title | Performance Perspective of Gate-All-Around Double Nanosheet CMOS Beyond High-Speed Logic Applications | - |
Tipo de arquivo: dc.type | livro digital | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp |
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