Al Source-Drain Schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET

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MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.contributorUniversidade de São Paulo (USP)-
Autor(es): dc.contributorFaculdade de Tecnologia de Sao Paulo-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (UNESP)-
Autor(es): dc.creatorCarvalho, Henrique L.-
Autor(es): dc.creatorRangel, Ricardo C.-
Autor(es): dc.creatorSasaki, Katia R. A.-
Autor(es): dc.creatorAgopian, Paula G. D.-
Autor(es): dc.creatorYojo, Leonardo S.-
Autor(es): dc.creatorMartino, Joao A.-
Data de aceite: dc.date.accessioned2025-08-21T18:15:53Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2025-08-21T18:15:53Z-
Data de envio: dc.date.issued2023-07-29-
Data de envio: dc.date.issued2023-07-29-
Data de envio: dc.date.issued2021-12-31-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880960-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11449/246010-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/246010-
Descrição: dc.descriptionThis work presents for the first time the experimental and simulated characteristics of a BESOI MOSFET reconfigurable transistor with non-sintered aluminum contact. Without this sintering process, the transistor acquires a higher current for electrons, but doesn't have significant current for holes. This characteristic is opposite to those previously observed in sintered transistors. The thermal process of sintering caused interference in the formation of the Schottky junction, this result can be used to improve future implementations of the BESOI MOSFET.-
Descrição: dc.descriptionLSI/PSI/USP University of Sao Paulo-
Descrição: dc.descriptionFATEC-SP Faculdade de Tecnologia de Sao Paulo-
Descrição: dc.descriptionUNESP Sao Paulo State University-
Descrição: dc.descriptionUNESP Sao Paulo State University-
Idioma: dc.languageen-
Relação: dc.relation36th Symposium on Microelectronics Technology, SBMICRO 2022 - Proceedings-
???dc.source???: dc.sourceScopus-
Palavras-chave: dc.subjectBESOI MOSFET-
Palavras-chave: dc.subjectaluminum-
Palavras-chave: dc.subjectreconfigurable device-
Palavras-chave: dc.subjectSchottky contact-
Palavras-chave: dc.subjectsource and drain contacts-
Título: dc.titleAl Source-Drain Schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET-
Tipo de arquivo: dc.typeaula digital-
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