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Metadados | Descrição | Idioma |
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Autor(es): dc.contributor | Universidade de São Paulo (USP) | - |
Autor(es): dc.contributor | Faculdade de Tecnologia de Sao Paulo | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (UNESP) | - |
Autor(es): dc.creator | Carvalho, Henrique L. | - |
Autor(es): dc.creator | Rangel, Ricardo C. | - |
Autor(es): dc.creator | Sasaki, Katia R. A. | - |
Autor(es): dc.creator | Agopian, Paula G. D. | - |
Autor(es): dc.creator | Yojo, Leonardo S. | - |
Autor(es): dc.creator | Martino, Joao A. | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2025-08-21T18:15:53Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2025-08-21T18:15:53Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2023-07-29 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2023-07-29 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2021-12-31 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://dx.doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880960 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://hdl.handle.net/11449/246010 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/246010 | - |
Descrição: dc.description | This work presents for the first time the experimental and simulated characteristics of a BESOI MOSFET reconfigurable transistor with non-sintered aluminum contact. Without this sintering process, the transistor acquires a higher current for electrons, but doesn't have significant current for holes. This characteristic is opposite to those previously observed in sintered transistors. The thermal process of sintering caused interference in the formation of the Schottky junction, this result can be used to improve future implementations of the BESOI MOSFET. | - |
Descrição: dc.description | LSI/PSI/USP University of Sao Paulo | - |
Descrição: dc.description | FATEC-SP Faculdade de Tecnologia de Sao Paulo | - |
Descrição: dc.description | UNESP Sao Paulo State University | - |
Descrição: dc.description | UNESP Sao Paulo State University | - |
Idioma: dc.language | en | - |
Relação: dc.relation | 36th Symposium on Microelectronics Technology, SBMICRO 2022 - Proceedings | - |
???dc.source???: dc.source | Scopus | - |
Palavras-chave: dc.subject | BESOI MOSFET | - |
Palavras-chave: dc.subject | aluminum | - |
Palavras-chave: dc.subject | reconfigurable device | - |
Palavras-chave: dc.subject | Schottky contact | - |
Palavras-chave: dc.subject | source and drain contacts | - |
Título: dc.title | Al Source-Drain Schottky contact enabling N-type (Back Enhanced) BESOI MOSFET | - |
Tipo de arquivo: dc.type | aula digital | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp |
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