Impact of Positive Charges in a Fringing Field Bio-Tunnel-FET Device with Source Underlap

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MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.contributorUniversidade de São Paulo (USP)-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (UNESP)-
Autor(es): dc.creatorMacambira, Christian N.-
Autor(es): dc.creatorAgopian, Paula G. D.-
Autor(es): dc.creatorMartino, Joao A.-
Autor(es): dc.creatorIEEE-
Data de aceite: dc.date.accessioned2025-08-21T17:27:09Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2025-08-21T17:27:09Z-
Data de envio: dc.date.issued2023-07-29-
Data de envio: dc.date.issued2023-07-29-
Data de envio: dc.date.issued2020-12-31-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1109/LAEDC51812.2021.9437937-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11449/245245-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/245245-
Descrição: dc.descriptionIn this paper, the sensitivity of the fringing field ntype tunneling field-effect transistor biosensor (Bio-nTFET) was investigated over the influence of positive fixed charges density (QBio) and dielectric constant k, in the source underlap (LUS) region. Numerical simulations were performed using Sentaurus TCAD device simulator. The presence of different biomolecules, in the LUS region, affects the drain current of the on-state (IOn). It is shown that the sensitivity of the Bio-nTFET increases 3 orders of magnitude from k = 1 to k = 10 due to the improved fringing field that reduces the tunneling length resulting in a higher tunneling current. The sensibility also increases for a higher values of QBio. The highest sensitivity value obtained in this work was 6.103 A/A for Q(Bio) = 1.10(12) cm(-2) and k = 10. The proposed device shows great potential as a biosensor based on TFET devices.-
Descrição: dc.descriptionFundação de Amparo de Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)-
Descrição: dc.descriptionConselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)-
Descrição: dc.descriptionCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoa de Nível Superior (CAPES)-
Descrição: dc.descriptionUniv Sao Paulo, LSI PSI USP, Sao Paulo, Brazil-
Descrição: dc.descriptionSao Paulo State Univ, UNESP, Sao Joao Da Boa Vista, Brazil-
Descrição: dc.descriptionSao Paulo State Univ, UNESP, Sao Joao Da Boa Vista, Brazil-
Formato: dc.format4-
Idioma: dc.languageen-
Publicador: dc.publisherIeee-
Relação: dc.relation2021 Ieee Latin America Electron Devices Conference (laedc)-
???dc.source???: dc.sourceWeb of Science-
Palavras-chave: dc.subjectBiosensor-
Palavras-chave: dc.subjectBio-TFET-
Palavras-chave: dc.subjectFringing Field-
Palavras-chave: dc.subjectSource Underlap-
Palavras-chave: dc.subjectSensitivity-
Palavras-chave: dc.subjectPermittivity-
Título: dc.titleImpact of Positive Charges in a Fringing Field Bio-Tunnel-FET Device with Source Underlap-
Tipo de arquivo: dc.typeaula digital-
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