Simple Analytical Modelling of an Electronically Tunable Potentiometer and Body Factor Influence

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MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.contributorUniversidade de São Paulo (USP)-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (UNESP)-
Autor(es): dc.creatorSousa, Julia C. S.-
Autor(es): dc.creatorMartino, Joao A.-
Autor(es): dc.creatorAgopian, Paula G. D.-
Autor(es): dc.creatorIEEE-
Data de aceite: dc.date.accessioned2025-08-21T22:26:37Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2025-08-21T22:26:37Z-
Data de envio: dc.date.issued2023-07-29-
Data de envio: dc.date.issued2023-07-29-
Data de envio: dc.date.issued2020-12-31-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1109/LAEDC51812.2021.9437909-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11449/245244-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/245244-
Descrição: dc.descriptionThis paper presents a simple analytical modelling of a Electronically Tunable Potentiometer (ETP) circuit, made of a pseudo-resistor pair and a feedback mechanism that keeps resistance invariant to common mode voltage. The modelling utilizes the first order quadratic equations for the MOS transistor. In order to validate the analytical model, a Verilog-A model was written using the same MOS equations, and later matched to the ibm 130nm technology node resulting in a satisfactory approximation, with relative errors within 15%. Analysis of the ETP control voltage, pseudo-resistor current and pseudo-resistor resistance using the simple model were performed as a function of body factor. When the body factor decreases (better gate to channel electrostatic coupling) the pseudo-resistance increases for the same silicon chip area.-
Descrição: dc.descriptionConselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)-
Descrição: dc.descriptionCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoa de Nível Superior (CAPES)-
Descrição: dc.descriptionUniv Sao Paulo, LSI PSI USP, Sao Paulo, Brazil-
Descrição: dc.descriptionSao Paulo State Univ, UNESP, Sao Joao Da Boa Vista, Brazil-
Descrição: dc.descriptionSao Paulo State Univ, UNESP, Sao Joao Da Boa Vista, Brazil-
Formato: dc.format4-
Idioma: dc.languageen-
Publicador: dc.publisherIeee-
Relação: dc.relation2021 Ieee Latin America Electron Devices Conference (laedc)-
???dc.source???: dc.sourceWeb of Science-
Palavras-chave: dc.subjectAnalytical Model-
Palavras-chave: dc.subjectETP-
Palavras-chave: dc.subjectBody factor-
Palavras-chave: dc.subjectTechnological Nodes-
Título: dc.titleSimple Analytical Modelling of an Electronically Tunable Potentiometer and Body Factor Influence-
Tipo de arquivo: dc.typeaula digital-
Aparece nas coleções:Repositório Institucional - Unesp

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