Electrical transport mechanisms of Neodymium-doped rare-earth semiconductors

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Autor(es): dc.contributorUnifei Campus Itabira-
Autor(es): dc.contributorInstitute of Materials Physics of Tandil-IFIMAT (UNCPBA) and UE CIFICEN (UNCPBA-CICPBA-CONICET)-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Federal de São Carlos (UFSCar)-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual de Campinas (UNICAMP)-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (UNESP)-
Autor(es): dc.contributorUniversity of Ferrara-
Autor(es): dc.contributorNational University of Mar del Plata-
Autor(es): dc.creatorVaz, Isabela C. F.-
Autor(es): dc.creatorMacchi, Carlos Eugenio-
Autor(es): dc.creatorSomoza, Alberto-
Autor(es): dc.creatorRocha, Leandro S. R.-
Autor(es): dc.creatorLongo, Elson-
Autor(es): dc.creatorCabral, Luis-
Autor(es): dc.creatorda Silva, Edison Z.-
Autor(es): dc.creatorSimões, Alexandre Zirpoli-
Autor(es): dc.creatorZonta, Giulia-
Autor(es): dc.creatorMalagù, Cesare-
Autor(es): dc.creatorDesimone, P. Mariela-
Autor(es): dc.creatorPonce, Miguel Adolfo-
Autor(es): dc.creatorMoura, Francisco-
Data de aceite: dc.date.accessioned2025-08-21T18:44:58Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2025-08-21T18:44:58Z-
Data de envio: dc.date.issued2023-03-02-
Data de envio: dc.date.issued2023-03-02-
Data de envio: dc.date.issued2022-05-01-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1007/s10854-022-08098-9-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11449/241774-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/241774-
Descrição: dc.descriptionThis study reports the electrical properties of Nd-doped cerium oxide (CeO2) films synthesized by microwave assisted hydrothermal using a two-point probe technique. Positron annihilation lifetime spectroscopy studies evidenced that, as the Nd content rises, a structural disorder occurs. This is caused by an increase in oxygen vacancies surrounded with Nd (defective clusters), with the mean lifetime components ranging between 290 and 300 ps. Particle size estimation showed values from 8.6 to 28.9 nm. Along with the increase of neodymium impurities, also the conductivity increases, due to the hopping conduction mechanism between defective species. This gives rise to a response time of only 6 s, turning these materials candidates to realize gas sensor devices. Ab initio investigations showed that the improved electric conduction is boosted mostly by the reduced Nd2+ than the Ce3+, where the oxygen vacancies play a fundamental role.-
Descrição: dc.descriptionFinanciadora de Estudos e Projetos-
Descrição: dc.descriptionFundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)-
Descrição: dc.descriptionFundação de Amparo à Pesquisa do Estado de Minas Gerais (FAPEMIG)-
Descrição: dc.descriptionAgencia Nacional de Promoción Científica y Tecnológica-
Descrição: dc.descriptionAdvanced Materials Interdisciplinary Laboratory Federal University of Itajubá Unifei Campus Itabira, MG-
Descrição: dc.descriptionInstitute of Materials Physics of Tandil-IFIMAT (UNCPBA) and UE CIFICEN (UNCPBA-CICPBA-CONICET)-
Descrição: dc.descriptionCenter for Research and Development of Functional Materials (CDMF) Federal University of São Carlos - (UFSCar), SP-
Descrição: dc.descriptionInstitute of Physics “Gleb Wataghin” (IFGW) State University of Campinas, SP-
Descrição: dc.descriptionSão Paulo State University (UNESP) School of Engineering, SP-
Descrição: dc.descriptionDepartment of Physics and Earth Sciences University of Ferrara, Via Savonarola-
Descrição: dc.descriptionInstitute of Materials Science and Technology (INTEMA) National University of Mar del Plata-
Descrição: dc.descriptionSão Paulo State University (UNESP) School of Engineering, SP-
Descrição: dc.descriptionFinanciadora de Estudos e Projetos: 0745/13-
Descrição: dc.descriptionFAPESP: 2013/07296-2-
Descrição: dc.descriptionFAPESP: 2016/23891-6-
Descrição: dc.descriptionFAPESP: 2017/26105-4-
Descrição: dc.descriptionFAPESP: 2018/20590-0-
Descrição: dc.descriptionFAPESP: 2018/20729-9-
Descrição: dc.descriptionFAPEMIG: APQ-00947-09-
Descrição: dc.descriptionFAPEMIG: APQ-03589-16-
Descrição: dc.descriptionAgencia Nacional de Promoción Científica y Tecnológica: PICT 2015-1832-
Formato: dc.format11632-11649-
Idioma: dc.languageen-
Relação: dc.relationJournal of Materials Science: Materials in Electronics-
???dc.source???: dc.sourceScopus-
Título: dc.titleElectrical transport mechanisms of Neodymium-doped rare-earth semiconductors-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
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