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Metadados | Descrição | Idioma |
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Autor(es): dc.contributor | Santos, Lucas Fugikawa | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (UNESP) | - |
Autor(es): dc.creator | Silva, Bruno Farias da | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2025-08-21T18:20:32Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2025-08-21T18:20:32Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2022-06-21 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2022-06-21 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2019-11-17 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://hdl.handle.net/11449/235235 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/235235 | - |
Descrição: dc.description | Neste trabalho o autor estuda o processo de anodização do alumínio metálico para formação de Al2O3 buscando aplicar na fabricação de transistores de filme fino (TFT). Para investigar a influência de parâmetros como densidade de corrente, pH da solução eletrolítica, tensão final e o tempo em que essa tensão é mantida, usados na técnica de anodização foram confeccionados capacitores de placas paralelas, por sua vez analisados usando o método de espectroscopia de impedância. Foi possível encontrar uma relação entre constante dielétrica e taxa de crescimento da camada de óxido de alumínio anodizado (OAA), tempo de corrente constante com variação da capacitância em relação à frequência, tensão de ruptura do dielétrico de óxido de alumínio anodizado, e a relevância de outros fatores como o método usado para deposição do alumínio metálico no substrato de vidro. | - |
Descrição: dc.description | In this work the author studies the anodizing process of metallic aluminum for Al2O3 formation aiming to apply in the manufacture of thin film transistors (TFT). To investigate the influence of parameters such as current density, pH of the electrolyte solution, final voltage and the time at which this voltage is maintained, used in the anodizing technique, parallel plate capacitors were made, therefore using the impedance spectroscopy method. It was possible to find a relation between dielectric constant and growth rate of anodized aluminum oxide (OAA) layer, constant current time with varying capacitance in relation to frequency, anodized aluminum oxide dielectric breakdown voltage, and relevance other factors such as the method used for the deposition of metallic aluminum on the glass substrate. | - |
Descrição: dc.description | Não recebi financiamento | - |
Formato: dc.format | application/pdf | - |
Idioma: dc.language | pt_BR | - |
Publicador: dc.publisher | Universidade Estadual Paulista (UNESP) | - |
Direitos: dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | - |
Palavras-chave: dc.subject | Medidas elétricas | - |
Palavras-chave: dc.subject | Física | - |
Palavras-chave: dc.subject | Dispositivos de filme fino | - |
Título: dc.title | Estudo do processo de anodização de alumínio metálico visando aplicação em camadas dielétricas de capacitores e transistores | - |
Título: dc.title | Study of the anodization process of metallic aluminum aiming application in dielectric layers of capacitors and transistors | - |
Tipo de arquivo: dc.type | livro digital | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp |
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