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Metadados | Descrição | Idioma |
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Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (UNESP) | - |
Autor(es): dc.creator | Lima, João V. M. | - |
Autor(es): dc.creator | Santos, Stevan B. O. | - |
Autor(es): dc.creator | Silva, Rafael A. | - |
Autor(es): dc.creator | Boratto, Miguel H. | - |
Autor(es): dc.creator | Graeff, Carlos F. O. | - |
Autor(es): dc.creator | Scalvi, Luis V. A. | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2025-08-21T17:12:55Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2025-08-21T17:12:55Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2022-05-01 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2022-05-01 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2021-08-01 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://dx.doi.org/10.1007/s10854-021-06703-x | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://hdl.handle.net/11449/233329 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/233329 | - |
Descrição: dc.description | Cu-doped SnO2 thin films present application as a gas sensor in H2S atmosphere, since the conductivity of SnO2 is increased due to the transformation of Cu into Cu2−xS. Based on this mechanism, a p–n Cu2S/SnO2 heterojunction is proposed and the electrical transport of this device is investigated. SnO2 thin films were obtained from the sol–gel by dip-coating technique, while Cu2S films were obtained from resistive evaporation. The formation of materials with low crystallinity and high disorder was analyzed by X-ray diffractograms and confirmed using optical absorption (Urbach’s energy.) The bandgaps of the materials were estimated from the Tauc plot to be 3.7 ± 0.1 eV for SnO2 and 2.5 ± 0.1 eV for Cu2S. Impedance spectroscopy measurements show an accumulation of charges in the material, which possibly occurs in the depletion layer region. In addition, it shows a charge release that can be associated with the leakage current in the device. I × V measurements show a surprising behavior, opposite to that expected for a diode, with the device conducting only under reverse bias. A model has been proposed to explain this effect considering minority charge transport and interfacial barriers formed between the materials. | - |
Descrição: dc.description | Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) | - |
Descrição: dc.description | School of Sciences POSMAT - Post-Graduate Program in Materials Science and Technology São Paulo State University (UNESP) | - |
Descrição: dc.description | School of Sciences Department of Physics São Paulo State University (UNESP) | - |
Descrição: dc.description | School of Sciences POSMAT - Post-Graduate Program in Materials Science and Technology São Paulo State University (UNESP) | - |
Descrição: dc.description | School of Sciences Department of Physics São Paulo State University (UNESP) | - |
Descrição: dc.description | FAPESP: 2017/20809-0 | - |
Descrição: dc.description | FAPESP: 2018/25241-4 | - |
Descrição: dc.description | FAPESP: 2018/26039-4 | - |
Formato: dc.format | 21804-21812 | - |
Idioma: dc.language | en | - |
Relação: dc.relation | Journal of Materials Science: Materials in Electronics | - |
???dc.source???: dc.source | Scopus | - |
Título: dc.title | Anomalous diode behavior of Cu2S/SnO2 p–n junction | - |
Tipo de arquivo: dc.type | livro digital | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp |
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