Amorphous lead titanate: A new wide-band gap semiconductor with photoluminescence at room temperature

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Autor(es): dc.contributorUniversidade Federal de São Carlos (UFSCar)-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (UNESP)-
Autor(es): dc.contributorUniversidade de São Paulo (USP)-
Autor(es): dc.creatorLeite, E. R.-
Autor(es): dc.creatorPontes, F. M.-
Autor(es): dc.creatorParis, E. C.-
Autor(es): dc.creatorPaskocimas, C. A.-
Autor(es): dc.creatorLee, E. J.H.-
Autor(es): dc.creatorLongo, E.-
Autor(es): dc.creatorPizani, P. S.-
Autor(es): dc.creatorVarela, J. A.-
Autor(es): dc.creatorMastelaro, V.-
Data de aceite: dc.date.accessioned2025-08-21T22:05:46Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2025-08-21T22:05:46Z-
Data de envio: dc.date.issued2022-04-29-
Data de envio: dc.date.issued2022-04-29-
Data de envio: dc.date.issued2000-01-01-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1002/1099-0712(200011/12)10:6<235-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11449/231698-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/231698-
Descrição: dc.descriptionThis paper describes a new amorphous wide-band gap semiconductor with photoluminescence (PL) at room temperature. The amorphous PbTiO3 was prepared by a sol-gel-like process in powder and thin film form. The optical property and the PL behaviour showed a direct relation to the amorphous structure. The PL peak energy can be controlled by the change of the exciting surge energy. Copyright © 2000 John Wiley & Sons, Ltd.-
Descrição: dc.descriptionLIEC Department of Chemistry UFSCar Federal University of São Carlos, São Carlos, SP-
Descrição: dc.descriptionDepartment of Physics UFSCar Federal University of São Carlos, São Carlos, SP-
Descrição: dc.descriptionInstitute of Chemistry UNESP São Paulo State University, Araraquara, SP-
Descrição: dc.descriptionIFSC São Carlos Institute of Physics USP University of São Paulo, São Carlos, SP-
Descrição: dc.descriptionInstitute of Chemistry UNESP São Paulo State University, Araraquara, SP-
Formato: dc.format235-240-
Idioma: dc.languageen-
Relação: dc.relationAdvanced Functional Materials-
???dc.source???: dc.sourceScopus-
Palavras-chave: dc.subjectAmorphous materials-
Palavras-chave: dc.subjectLuminescence-
Palavras-chave: dc.subjectMaterials science-
Palavras-chave: dc.subjectSemiconductors-
Palavras-chave: dc.subjectSol-gel process-
Título: dc.titleAmorphous lead titanate: A new wide-band gap semiconductor with photoluminescence at room temperature-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
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