Raman investigation of structural photoinduced irreversible changes of Ga10Ge25S65 chalcogenide glasses

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Autor(es): dc.contributorUniversidade de São Paulo (USP)-
Autor(es): dc.contributorLab. of Inorg. Mat. IIC ASCR and ICT-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (UNESP)-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Federal de Juiz de Fora-
Autor(es): dc.creatorMessaddeq, S. H.-
Autor(es): dc.creatorLi, M. Sui-
Autor(es): dc.creatorLezal, D.-
Autor(es): dc.creatorMessaddeq, Y.-
Autor(es): dc.creatorRibeiro, S. J.L.-
Autor(es): dc.creatorOliveira, L. F.C.-
Autor(es): dc.creatorRollo, J. M.D.A.-
Data de aceite: dc.date.accessioned2025-08-21T16:29:37Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2025-08-21T16:29:37Z-
Data de envio: dc.date.issued2022-04-29-
Data de envio: dc.date.issued2022-04-29-
Data de envio: dc.date.issued2001-01-01-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11449/231657-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/231657-
Descrição: dc.descriptionThe influence of time exposure, when exposed to above band gap light (3,52 eV) and annealing, on Ga10Ge25S65 glasses has been studied through their effects on the structure and optical properties. To evaluate the photostructural change infrared and Raman spectra for bulk Ga10Ge25S65 glasses have been measured before and after exposure. The Raman spectra are interpreted in terms of models in which the Ge atoms are fourfold coordinated and the S atoms are two fold coordinated. The observed changes in the spectral region of (S-S) stretching vibration (470-490 cm-1) is a direct evidence for the occurrence of important structural changes in local bonding configuration caused by optical irradiation. It is shown that the dominant photostrucural changes are chain formation tendency of the chalcogenide atoms under the laser irradiation rather than rings.-
Descrição: dc.descriptionInst. de Fis. de São Carlos Universidade de São Paulo, C.P. 369, CEP: 13560-970, São Carlos, SP-
Descrição: dc.descriptionLab. of Inorg. Mat. IIC ASCR and ICT, Pelleova 24, Prague 6-
Descrição: dc.descriptionInstituto de Química UNESP, C.P. 355, CEP: 14801-970, Araraquara, SP-
Descrição: dc.descriptionDepto. de Química Universidade Federal de Juiz de Fora, Juiz de Fora, MG-
Descrição: dc.descriptionEsc. de Engenharia de S. Carlos Universidade de São Paulo, C.P. 369, CEP: 13560-970, São Carlos, SP-
Descrição: dc.descriptionInstituto de Química UNESP, C.P. 355, CEP: 14801-970, Araraquara, SP-
Formato: dc.format295-302-
Idioma: dc.languageen-
Relação: dc.relationJournal of Optoelectronics and Advanced Materials-
???dc.source???: dc.sourceScopus-
Palavras-chave: dc.subjectChalcogenide-
Palavras-chave: dc.subjectGaGeS bulk glass-
Palavras-chave: dc.subjectPhotoexpansion-
Palavras-chave: dc.subjectRaman spectra-
Título: dc.titleRaman investigation of structural photoinduced irreversible changes of Ga10Ge25S65 chalcogenide glasses-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
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