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| Metadados | Descrição | Idioma |
|---|---|---|
| Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (UNESP) | - |
| Autor(es): dc.contributor | Universidade Federal do Paraná (UFPR) | - |
| Autor(es): dc.creator | Nogueira, Gabriel L. | - |
| Autor(es): dc.creator | Vieira, Douglas H. | - |
| Autor(es): dc.creator | Morais, Rogerio M. | - |
| Autor(es): dc.creator | Serbena, Jose P. M. | - |
| Autor(es): dc.creator | Seidel, Keli F. | - |
| Autor(es): dc.creator | Alves, Neri | - |
| Data de aceite: dc.date.accessioned | 2025-08-21T20:09:04Z | - |
| Data de disponibilização: dc.date.available | 2025-08-21T20:09:04Z | - |
| Data de envio: dc.date.issued | 2022-04-29 | - |
| Data de envio: dc.date.issued | 2022-04-29 | - |
| Data de envio: dc.date.issued | 2020-12-31 | - |
| Fonte completa do material: dc.identifier | http://dx.doi.org/10.1109/LED.2021.3120928 | - |
| Fonte completa do material: dc.identifier | http://hdl.handle.net/11449/231538 | - |
| Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/231538 | - |
| Descrição: dc.description | Few works on solution-processed zinc oxide vertical transistors and electrolyte-gated transistors have shown the merits of both architectures. Here, we present an electrolyte-gated vertical field-effect transistor (EGVFET) based on a spray-deposited zinc oxide/silver nanowire (ZnO/AgNW) Schottky contact. The output curve shows that the device operates at a sub-1 V bias. Also, the electrolyte does not affect the diode cell, and the cyclic voltammetry of the capacitor cell does not indicate a faradic process between AgNW and the top-gate electrode. From the transfer curve, we extracted an ION/IOFF ratio of 104, an on-current density of 65.3 mA/cm2 and a normalized transconductance of 113.4 S/cm2. Our contribution places the ZnO-EGVFET structure on the front line to develop printed transistors without a high-resolution pattern. | - |
| Descrição: dc.description | São Paulo State University – UNESP, Faculty of Science and Technology (FCT), Physics Department, Presidente Prudente, SP, Brazil. (e-mail: leonardo.nogueira@unesp.br) | - |
| Descrição: dc.description | São Paulo State University – UNESP, Faculty of Science and Technology (FCT), Physics Department, Presidente Prudente, SP, Brazil. | - |
| Descrição: dc.description | Universidade Federal do Paraná – UFPR, Physics Department, Curitiba, PR, Brazil. | - |
| Descrição: dc.description | Universidade Tecnológica Federal Do Paraná – UTFPR, Physics Department, Curitiba, PR, Brazil. | - |
| Idioma: dc.language | en | - |
| Relação: dc.relation | IEEE Electron Device Letters | - |
| ???dc.source???: dc.source | Scopus | - |
| Palavras-chave: dc.subject | Field-effect transistor | - |
| Palavras-chave: dc.subject | Schottky diode | - |
| Palavras-chave: dc.subject | Spray-coating | - |
| Palavras-chave: dc.subject | Vertical electrolyte-gated transistor | - |
| Título: dc.title | A sub-1 V, Electrolyte-Gated Vertical Field Effect Transistor based on ZnO/AgNW Schottky contact | - |
| Tipo de arquivo: dc.type | livro digital | - |
| Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp | |
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