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Metadados | Descrição | Idioma |
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Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (UNESP) | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade de São Paulo (USP) | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade Federal Fluminense (UFF) | - |
Autor(es): dc.creator | Yoshida, M. | - |
Autor(es): dc.creator | Seridonio, A. C. | - |
Autor(es): dc.creator | Oliveira, L. N. | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2025-08-21T19:56:45Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2025-08-21T19:56:45Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2022-04-28 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2022-04-28 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2009-12-16 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.80.235317 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://hdl.handle.net/11449/225973 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/225973 | - |
Descrição: dc.description | The thermal dependence of the zero-bias conductance for the single electron transistor is the target of two independent renormalization-group approaches, both based on the spin-degenerate Anderson impurity model. The first approach, an analytical derivation, maps the Kondo-regime conductance onto the universal conductance function for the particle-hole symmetric model. Linear, the mapping is parametrized by the Kondo temperature and the charge in the Kondo cloud. The second approach, a numerical renormalization-group computation of the conductance as a function the temperature and applied gate voltages offers a comprehensive view of zero-bias charge transport through the device. The first approach is exact in the Kondo regime; the second, essentially exact throughout the parametric space of the model. For illustrative purposes, conductance curves resulting from the two approaches are compared. © 2009 The American Physical Society. | - |
Descrição: dc.description | Departamento de Física Instituto de Geociências e Ciências Exatas Universidade Estadual Paulista, 13500 Rio Claro, SP | - |
Descrição: dc.description | Departamento de Física e Informática Instituto de Física de São Carlos Universidade de São Paulo, 369 São Carlos, SP | - |
Descrição: dc.description | Instituto de Física Universidade Federal Fluminense, Niterói 24210-346, RJ | - |
Descrição: dc.description | Departamento de Física Instituto de Geociências e Ciências Exatas Universidade Estadual Paulista, 13500 Rio Claro, SP | - |
Idioma: dc.language | en | - |
Relação: dc.relation | Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics | - |
???dc.source???: dc.source | Scopus | - |
Título: dc.title | Universal zero-bias conductance for the single-electron transistor | - |
Tipo de arquivo: dc.type | livro digital | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp |
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