Universal zero-bias conductance for the single-electron transistor

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MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (UNESP)-
Autor(es): dc.contributorUniversidade de São Paulo (USP)-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Federal Fluminense (UFF)-
Autor(es): dc.creatorYoshida, M.-
Autor(es): dc.creatorSeridonio, A. C.-
Autor(es): dc.creatorOliveira, L. N.-
Data de aceite: dc.date.accessioned2025-08-21T19:56:45Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2025-08-21T19:56:45Z-
Data de envio: dc.date.issued2022-04-28-
Data de envio: dc.date.issued2022-04-28-
Data de envio: dc.date.issued2009-12-16-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.80.235317-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11449/225973-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/225973-
Descrição: dc.descriptionThe thermal dependence of the zero-bias conductance for the single electron transistor is the target of two independent renormalization-group approaches, both based on the spin-degenerate Anderson impurity model. The first approach, an analytical derivation, maps the Kondo-regime conductance onto the universal conductance function for the particle-hole symmetric model. Linear, the mapping is parametrized by the Kondo temperature and the charge in the Kondo cloud. The second approach, a numerical renormalization-group computation of the conductance as a function the temperature and applied gate voltages offers a comprehensive view of zero-bias charge transport through the device. The first approach is exact in the Kondo regime; the second, essentially exact throughout the parametric space of the model. For illustrative purposes, conductance curves resulting from the two approaches are compared. © 2009 The American Physical Society.-
Descrição: dc.descriptionDepartamento de Física Instituto de Geociências e Ciências Exatas Universidade Estadual Paulista, 13500 Rio Claro, SP-
Descrição: dc.descriptionDepartamento de Física e Informática Instituto de Física de São Carlos Universidade de São Paulo, 369 São Carlos, SP-
Descrição: dc.descriptionInstituto de Física Universidade Federal Fluminense, Niterói 24210-346, RJ-
Descrição: dc.descriptionDepartamento de Física Instituto de Geociências e Ciências Exatas Universidade Estadual Paulista, 13500 Rio Claro, SP-
Idioma: dc.languageen-
Relação: dc.relationPhysical Review B - Condensed Matter and Materials Physics-
???dc.source???: dc.sourceScopus-
Título: dc.titleUniversal zero-bias conductance for the single-electron transistor-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
Aparece nas coleções:Repositório Institucional - Unesp

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