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Metadados | Descrição | Idioma |
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Autor(es): dc.contributor | Universidade de São Paulo (USP) | - |
Autor(es): dc.contributor | imec | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (UNESP) | - |
Autor(es): dc.creator | Silva, Vanessa C.P. | - |
Autor(es): dc.creator | Martino, Joao A. | - |
Autor(es): dc.creator | Simoen, Eddy | - |
Autor(es): dc.creator | Veloso, Anabela | - |
Autor(es): dc.creator | Agopian, Paula G.D. | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2025-08-21T22:38:30Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2025-08-21T22:38:30Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2022-04-28 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2022-04-28 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2022-05-01 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2022.108267 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://hdl.handle.net/11449/223545 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/223545 | - |
Descrição: dc.description | In this work the gate-all-around nanosheet transistor is analyzed at high temperatures, from analog point of view. At first, the gate-all-around nanosheet (NS) behavior is compared with reported omega-gate nanowire (NW) transistors, at room temperature. It is worth noting that the nanosheets devices present a stronger electrostatic coupling between gate and channel (lower short channel effect -SCE), and higher intrinsic voltage gain, AV (better Early voltage) when compared with NW devices (60 dB for NS and 55 db for NW, with L = 200 nm). Therefore, the second part of this work focuses on the analog study only for NS transistors (with different metal gate stacks), presenting the trade-off between transistor efficiency and unit gain frequency, fT from room temperature to 200 °C. The obtained results are very promising for both gate stack transistors, where values of transistor efficiency about 37 V−1 (T = 25 °C and L = 200 nm) and fT about 260 GHz (T = 25 °C and L = 28 nm) are obtained. The optimal application point was obtained at the transition from moderate to strong inversion. | - |
Descrição: dc.description | LSI/PSI/USP University of Sao Paulo | - |
Descrição: dc.description | imec | - |
Descrição: dc.description | UNESP Sao Paulo State University | - |
Descrição: dc.description | UNESP Sao Paulo State University | - |
Idioma: dc.language | en | - |
Relação: dc.relation | Solid-State Electronics | - |
???dc.source???: dc.source | Scopus | - |
Palavras-chave: dc.subject | Analog operation | - |
Palavras-chave: dc.subject | FT | - |
Palavras-chave: dc.subject | High temperature | - |
Palavras-chave: dc.subject | Intrinsic voltage gain | - |
Palavras-chave: dc.subject | MOSFET | - |
Palavras-chave: dc.subject | Nanosheet (NS) | - |
Palavras-chave: dc.subject | Nanowire (NW) | - |
Palavras-chave: dc.subject | Transistor efficiency | - |
Título: dc.title | Trade-off analysis between gm/ID and fT of nanosheet NMOS transistors with different metal gate stack at high temperature | - |
Tipo de arquivo: dc.type | livro digital | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp |
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