Study of the utbbbe soi tunnel-fet working as a dual-technology transistor

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MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.contributorUniversidade de São Paulo (USP)-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (UNESP)-
Autor(es): dc.creatorMori, Carlos A. B.-
Autor(es): dc.creatorAgopian, Paula G. D. [UNESP]-
Autor(es): dc.creatorMartino, João A.-
Data de aceite: dc.date.accessioned2022-08-04T22:12:10Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2022-08-04T22:12:10Z-
Data de envio: dc.date.issued2022-04-28-
Data de envio: dc.date.issued2022-04-28-
Data de envio: dc.date.issued2021-08-23-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.29292/jics.v16i2.208-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11449/222332-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/222332-
Descrição: dc.description— In this work we further investigate the operation of theBESOI (Back-Enhanced Silicon-On Insulator) Dual-Technology FET, analyzing not only its behavior as a p-type Tunnel-FET when a negative back bias is applied to the struc-ture, but also as an nMOS when a positive back bias is applied. The working principle is based on the generation of a channel of either holes or electrons by the back gate electric field, which can then be depleted through the front gate bias. TCAD device simulation was used for the proof of concept.-
Descrição: dc.descriptionCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)-
Descrição: dc.descriptionConselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)-
Descrição: dc.descriptionFundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)-
Descrição: dc.descriptionLSI/PSI/USP University of Sao Paulo-
Descrição: dc.descriptionUNESP Sao Paulo State University-
Descrição: dc.descriptionUNESP Sao Paulo State University-
Descrição: dc.descriptionCAPES: 2017/26489-7-
Descrição: dc.descriptionCNPq: 2017/26489-7-
Descrição: dc.descriptionFAPESP: 2017/26489-7-
Idioma: dc.languageen-
Relação: dc.relationJournal of Integrated Circuits and Systems-
???dc.source???: dc.sourceScopus-
Palavras-chave: dc.subjectDual technology transistor-
Palavras-chave: dc.subjectMOSFET-
Palavras-chave: dc.subjectReconfigurable transistor-
Palavras-chave: dc.subjectSilicon-On-Insulator (SOI)-
Palavras-chave: dc.subjectTunnel-FET-
Título: dc.titleStudy of the utbbbe soi tunnel-fet working as a dual-technology transistor-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
Aparece nas coleções:Repositório Institucional - Unesp

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