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Metadados | Descrição | Idioma |
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Autor(es): dc.contributor | Bharat Institute of Engineering and Technology | - |
Autor(es): dc.contributor | Bangor University | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (UNESP) | - |
Autor(es): dc.contributor | University of Glasgow | - |
Autor(es): dc.creator | Kumar, Dinesh | - |
Autor(es): dc.creator | Gomes, Tiago [UNESP] | - |
Autor(es): dc.creator | Misra, Neeraj Kumar | - |
Autor(es): dc.creator | Sahu, Anil Kumar | - |
Autor(es): dc.creator | Kettle, J. | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2022-08-04T22:11:50Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2022-08-04T22:11:50Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2022-04-28 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2022-04-28 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-12-31 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://dx.doi.org/10.1016/j.matpr.2021.02.710 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://hdl.handle.net/11449/222227 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/222227 | - |
Descrição: dc.description | This study applies the Taguchi orthogonal array (OA) to improve and optimize the performance of ZnO thin-film transistors (TFT). Radiofrequency (RF) sputtering method was used to deposit the active layer of TFTs. The annealing temperature, environmental conditions, sputter rate, and thin-film thickness were the parameters whose impact on output parameters like mobility was analyzed in the process optimization using design of experiment (DOE). The ZnO TFTs show state-of-the-art performance features, including high saturation mobility (0.83c), high Ion/Ioffratio (104). The optimal configuration was found to be high annealing temperature 450 °C under N2atmosphere, low sputter rate. This paper presents a method that can empower the fast optimization of metal oxide TFTs for future developments in the manufacturing process. If a full factorial design had been implemented, 64 tests would have been necessary, however in this work, we have reduced the number of tests to 9 only using Taguchi method. | - |
Descrição: dc.description | Department of Electronics and Communication Engineering Bharat Institute of Engineering and Technology, Telangana | - |
Descrição: dc.description | School of Electronics Bangor University, Bangor | - |
Descrição: dc.description | São Paulo State University (Unesp) Institute of Geosciences and Exact Sciences | - |
Descrição: dc.description | James Watt School of Engineering University of Glasgow | - |
Descrição: dc.description | São Paulo State University (Unesp) Institute of Geosciences and Exact Sciences | - |
Formato: dc.format | 5757-5760 | - |
Idioma: dc.language | en | - |
Relação: dc.relation | Materials Today: Proceedings | - |
???dc.source???: dc.source | Scopus | - |
Palavras-chave: dc.subject | Metal oxide | - |
Palavras-chave: dc.subject | Mobility | - |
Palavras-chave: dc.subject | Optimization | - |
Palavras-chave: dc.subject | Taguchi Orthogonal Array (OA) | - |
Palavras-chave: dc.subject | ZnO TFTs | - |
Título: dc.title | Application of Taguchi arrays using DOE for optimizing processing and understanding sputtered coated ZnO TFTs | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp |
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