Investigation on the optical and electrical properties of undoped and Sb-doped SnO2 nanowires obtained by the VLS method

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Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (UNESP)-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Federal de São Carlos (UFSCar)-
Autor(es): dc.creatorCosta, I. M. [UNESP]-
Autor(es): dc.creatorCunha, T. R.-
Autor(es): dc.creatorCichetto, L.-
Autor(es): dc.creatorZaghete, M. A. [UNESP]-
Autor(es): dc.creatorChiquito, A. J.-
Data de aceite: dc.date.accessioned2022-08-04T22:10:11Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2022-08-04T22:10:11Z-
Data de envio: dc.date.issued2022-04-28-
Data de envio: dc.date.issued2022-04-28-
Data de envio: dc.date.issued2021-10-01-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2021.114856-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11449/221896-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/221896-
Descrição: dc.descriptionIn this work, we report the effects of Sb doping on the optical and electrical properties of the SnO2 nanowires obtained by the vapor-liquid-solid (VLS) method. The absorption edges were found to be 3.30 eV and 3.66 eV for undoped SnO2 and Sb-doped SnO2 (ATO) nanowires, respectively. The energy shift was related to the Burstein-Moss effect taking place in the doped nanowires. We studied the ATO optical bandgap (ΔE = 0.36 eV) shift as a function of carrier concentration. The incorporation of Sb caused the resistivity to decrease three orders of magnitude for single-nanowire ATO devices. In addition, it was found that undoped SnO2 nanowires exhibit semiconductor characteristics while a metal-insulator transition (MIT), around 170 K, was observed in the ATO nanowires.-
Descrição: dc.descriptionConselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)-
Descrição: dc.descriptionFundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)-
Descrição: dc.descriptionLIEC Instituto de Química Universidade Estadual Paulista - UNESP-
Descrição: dc.descriptionDepartamento de Física Universidade Federal de São Carlos-
Descrição: dc.descriptionLIEC Instituto de Química Universidade Estadual Paulista - UNESP-
Descrição: dc.descriptionCNPq: 150856/2019–9-
Descrição: dc.descriptionFAPESP: 2013/07296–2-
Descrição: dc.descriptionFAPESP: 2014/01371–5-
Descrição: dc.descriptionFAPESP: 2017/23663–6-
Descrição: dc.descriptionFAPESP: 2019/12383–8-
Descrição: dc.descriptionCNPq: 305656/2018–0-
Idioma: dc.languageen-
Relação: dc.relationPhysica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures-
???dc.source???: dc.sourceScopus-
Palavras-chave: dc.subjectATO-
Palavras-chave: dc.subjectBurstein-Moss shift-
Palavras-chave: dc.subjectMetal-insulator transition-
Palavras-chave: dc.subjectNanowires-
Palavras-chave: dc.subjectSingle-nanowire device-
Palavras-chave: dc.subjectTin dioxide-
Título: dc.titleInvestigation on the optical and electrical properties of undoped and Sb-doped SnO2 nanowires obtained by the VLS method-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
Aparece nas coleções:Repositório Institucional - Unesp

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