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Metadados | Descrição | Idioma |
---|---|---|
Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (UNESP) | - |
Autor(es): dc.contributor | Commun. and Electron. Eng. | - |
Autor(es): dc.contributor | IMEC | - |
Autor(es): dc.contributor | Vrije Universiteit Brussels | - |
Autor(es): dc.creator | Glória Caño de Andrade, Maria [UNESP] | - |
Autor(es): dc.creator | Felipe de Oliveira Bergamim, Luis [UNESP] | - |
Autor(es): dc.creator | Baptista Júnior, Braz [UNESP] | - |
Autor(es): dc.creator | Roberto Nogueira, Carlos [UNESP] | - |
Autor(es): dc.creator | Alex da Silva, Fábio [UNESP] | - |
Autor(es): dc.creator | Takakura, Kenichiro | - |
Autor(es): dc.creator | Parvais, Bertrand | - |
Autor(es): dc.creator | Simoen, Eddy | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2022-08-04T22:09:59Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2022-08-04T22:09:59Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2022-04-28 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2022-04-28 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2021-09-01 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2021.108050 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://hdl.handle.net/11449/221845 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/221845 | - |
Descrição: dc.description | In this paper, the noise Power Spectral Density (PSD) of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors (HEMTs) has been experimentally investigated in linear operation (VD = 50 mV) for different channel lengths (L) and widths (W) at different temperatures (5.32 °C till 100 °C). The origin of the noise will be analyzed to understand the physical mechanisms involved. It is shown that the Low-Frequency (LF) noise is dominated by 1/f noise, originating from number fluctuations. Additionally, in shorter devices, a higher 1/f noise PSD is found. The LF noise characteristics indicate that the AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrates can be a promising candidate for analog and Radio Frequency applications (RF). | - |
Descrição: dc.description | São Paulo State University (UNESP) Institute of Science and Technology, Av. 3 de Março, n. 511 | - |
Descrição: dc.description | National Inst. of Technol. Kumamoto College Depart. of Information Commun. and Electron. Eng., 2659-2 Suya, Koshi | - |
Descrição: dc.description | IMEC, Kapeldreef 75 | - |
Descrição: dc.description | Vrije Universiteit Brussels, Pleinlaan 2 | - |
Descrição: dc.description | São Paulo State University (UNESP) Institute of Science and Technology, Av. 3 de Março, n. 511 | - |
Idioma: dc.language | en | - |
Relação: dc.relation | Solid-State Electronics | - |
???dc.source???: dc.source | Scopus | - |
Palavras-chave: dc.subject | GaN/AlGaN | - |
Palavras-chave: dc.subject | HEMT | - |
Palavras-chave: dc.subject | High-temperature | - |
Palavras-chave: dc.subject | Low-frequency noise | - |
Título: dc.title | Low-Frequency noise investigation of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors | - |
Tipo de arquivo: dc.type | livro digital | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp |
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