Atenção: Todas as denúncias são sigilosas e sua identidade será preservada.
Os campos nome e e-mail são de preenchimento opcional
Metadados | Descrição | Idioma |
---|---|---|
Autor(es): dc.contributor | Imec | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade Tecnológica Federal do Paraná | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (UNESP) | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade de São Paulo (USP) | - |
Autor(es): dc.contributor | EE Depart. KU Leuven | - |
Autor(es): dc.creator | Simoen, Eddy | - |
Autor(es): dc.creator | de Oliveira, Alberto Vinicius | - |
Autor(es): dc.creator | Agopian, Paula Ghedini Der [UNESP] | - |
Autor(es): dc.creator | Ritzenthaler, Romain | - |
Autor(es): dc.creator | Mertens, Hans | - |
Autor(es): dc.creator | Horiguchi, Naoto | - |
Autor(es): dc.creator | Martino, Joao Antonio | - |
Autor(es): dc.creator | Claeys, Cor | - |
Autor(es): dc.creator | Veloso, Anabela | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2022-08-04T22:09:59Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2022-08-04T22:09:59Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2022-04-28 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2022-04-28 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2021-10-01 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2021.108087 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://hdl.handle.net/11449/221842 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/221842 | - |
Descrição: dc.description | The low frequency noise performance of Gate-All-Around Nanowire (NW) or Nanosheet (NS) Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFETs) is investigated, taking account of the impact of the device architecture, i.e., junctionless (JL) versus inversion-mode (IM) and process variations for the gate metal. The horizontal devices are characterized by 1/f noise, dominated by the number fluctuation mechanism, so that the power spectral density (PSD) is directly proportional with the trap density in the gate stack. The average 1/f noise PSD is becoming smaller going from single NW transistors on Silicon-on-Insulator substrates, to stacked horizontal NS devices on bulk silicon and, finally, vertical NWFETs with a substrate source contact. At low currents and frequencies below 1 kHz the 1/f noise in the vertical NWs is, in contrast to the horizontal devices, controlled by mobility fluctuations. In these devices white noise is observed above 1 kHz. | - |
Descrição: dc.description | Imec, Kapeldreef 75 | - |
Descrição: dc.description | Universidade Tecnológica Federal do Paraná | - |
Descrição: dc.description | UNESP Sao Paulo State University | - |
Descrição: dc.description | LSI/PSI/USP University of Sao Paulo | - |
Descrição: dc.description | EE Depart. KU Leuven, Kasteelpark Arenberg 10 | - |
Descrição: dc.description | UNESP Sao Paulo State University | - |
Idioma: dc.language | en | - |
Relação: dc.relation | Solid-State Electronics | - |
???dc.source???: dc.source | Scopus | - |
Palavras-chave: dc.subject | Gate-All-Around | - |
Palavras-chave: dc.subject | Low-frequency noise | - |
Palavras-chave: dc.subject | Nanosheets | - |
Palavras-chave: dc.subject | Nanowires | - |
Palavras-chave: dc.subject | Silicon MOSFETs | - |
Título: dc.title | Low frequency noise performance of horizontal, stacked and vertical silicon nanowire MOSFETs | - |
Tipo de arquivo: dc.type | livro digital | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp |
O Portal eduCAPES é oferecido ao usuário, condicionado à aceitação dos termos, condições e avisos contidos aqui e sem modificações. A CAPES poderá modificar o conteúdo ou formato deste site ou acabar com a sua operação ou suas ferramentas a seu critério único e sem aviso prévio. Ao acessar este portal, você, usuário pessoa física ou jurídica, se declara compreender e aceitar as condições aqui estabelecidas, da seguinte forma: