Electrical properties of boron doped CVD diamond after plasma cleaning probed by capacitance-voltage profiling

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MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.contributorUniversidade Federal de São Carlos (UFSCar)-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (UNESP)-
Autor(es): dc.contributorLaboratório Associado de Sensores e Materiais, LAS, INPE-
Autor(es): dc.contributorInstitute Federal de Educação, Ciência e Tecnologia de São Paulo-
Autor(es): dc.creatorAraujo, Luana S.-
Autor(es): dc.creatorBerengue, Olivia [UNESP]-
Autor(es): dc.creatorBaldan, Maurício-
Autor(es): dc.creatorFerreira, Neidenei-
Autor(es): dc.creatorMoro, João-
Autor(es): dc.creatorChiquito, Adenilson-
Data de aceite: dc.date.accessioned2022-08-04T22:04:49Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2022-08-04T22:04:49Z-
Data de envio: dc.date.issued2022-04-28-
Data de envio: dc.date.issued2022-04-28-
Data de envio: dc.date.issued2014-01-01-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1557/opl.2014.701-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11449/220415-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/220415-
Descrição: dc.descriptionDoped diamond films grown by chemical vapor techniques has been used to study hydrogen and oxygen terminated diamond. It is known that the electrical characteristics of metaldiamond interface are strongly affected by the diamond surface features. O<inf>2</inf> plasma treatment was used as a cleaning procedure for as grown diamond samples leading to changes in the capacitance measurements after treatment. The alteration in the characteristics of the samples can be attributed to the surface adsorbates like hydrogen and water vapor present in the atmosphere. The results indicates that the O<inf>2</inf> plasma treatment was effective in cleaning the surface revealing the expected features of a p-type diamond film.-
Descrição: dc.descriptionConselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)-
Descrição: dc.descriptionNanO LaB, Departamento de Física, Universidade Federal de São Carlos-
Descrição: dc.descriptionFaculdade de Engenharia de Guaratinguetá, Universidade Estadual Júlio de Mesquita Filho-
Descrição: dc.descriptionLaboratório Associado de Sensores e Materiais, LAS, INPE-
Descrição: dc.descriptionInstitute Federal de Educação, Ciência e Tecnologia de São Paulo-
Descrição: dc.descriptionFaculdade de Engenharia de Guaratinguetá, Universidade Estadual Júlio de Mesquita Filho-
Descrição: dc.descriptionCNPq: 2010/302640-0-
Formato: dc.format1-6-
Idioma: dc.languageen-
Relação: dc.relationMaterials Research Society Symposium Proceedings-
???dc.source???: dc.sourceScopus-
Título: dc.titleElectrical properties of boron doped CVD diamond after plasma cleaning probed by capacitance-voltage profiling-
Aparece nas coleções:Repositório Institucional - Unesp

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